[实用新型]一种OLED衬底基板、显示器及显示装置有效
申请号: | 201721205680.6 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN207409489U | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 罗志猛;钟沃滨;何秀凯 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;廖苑滨 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素定义层 第一电极 本实用新型 基板 衬底基板 非显示区 显示装置 固化 吸气 产品良率 亮度不均 显示异常 像素边缘 阴极金属 阵列排布 大坡度 显示区 电阻 减小 吸水 显示器 延伸 | ||
本实用新型公开了一种OLED衬底基板,其包括:基板,其具有显示区和非显示区;形成在基板的显示区内的第一像素定义层和阵列排布的第一电极,第一像素定义层位于相邻第一电极之间且两侧分别延伸至第一电极边缘上;形成在基板的非显示区的第二像素定义层;其中,第一像素定义层的厚度高于第一电极的厚度,低于第二像素定义层的厚度。本实用新型还公开了一种OLED显示器及显示装置。本实用新型减小显示区内第一像素定义层的厚度,避免第一像素定义层可能固化不完全或固化后再吸水吸气和像素边缘大坡度导致阴极金属电阻大、导致显示区内亮度不均甚至显示异常的问题,有利于提高产品良率及增强可靠性。
技术领域
本实用新型属于显示面板技术领域,具体涉及一种OLED衬底基板、显示器及显示装置。
背景技术
PSPI,一种聚酰亚胺树脂光阻,也成为像素定义层,是用于形成及隔离OLED像素的材料,OLED设计时,PSPI也用于实现其他功能,如隔离非显示区的COMMOM线与阴极,还用于保护金属及ITO引线,防止引线划伤和腐蚀,为同时实现以上3种功能,PSPI常被设计成1μm或以上的厚膜。
如图1所示,原有的PSPI 1’设计成1μm或以上的厚膜,厚的PSPI 1’容易导致像素边缘出现各种问题,从而影响OLED的显示效果及可靠度,PSPI 1’可能固化不完全或固化后再吸水吸气,导致封装后特别是高温可靠性时水汽释放、导致像素收缩,像素边缘大坡度导致阴极金属电阻大、导致显示区内亮度不均甚至显示异常,影响产品的良率及可靠性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种OLED显示面板,以解决上述背景技术中提出的原有的像素定义层(PSPI)设计成1μm或以上的厚膜,厚的PSPI容易导致像素边缘出现各种问题,从而影响OLED的显示效果及可靠度,PSPI可能固化不完全或固化后再吸水吸气,导致封装后特别是高温可靠性时水汽释放、导致像素收缩,像素边缘大坡度导致阴极金属电阻大、导致CELL内亮度不均甚至显示异常,有利于提高产品良率及增强可靠性。
本实用新型的目的还在于提供一种OLED显示器及显示装置。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种OLED衬底基板,其包括:
基板,其具有显示区和非显示区;
形成在所述基板的显示区内的第一像素定义层和阵列排布的第一电极,所述第一像素定义层位于相邻所述第一电极之间且两侧分别延伸至所述第一电极边缘上;
形成在所述基板的非显示区的第二像素定义层;
其中,所述第一像素定义层的厚度高于所述第一电极的厚度,低于所述第二像素定义层的厚度。
作为本实用新型提供的OLED衬底基板的一种改进,所述第一像素定义层的厚度为0.2~0.4μm。
作为本实用新型提供的OLED衬底基板的一种改进,所述第二像素定义层的厚度为1~1.5μm。
一种OLED显示器,其具有任一上述的衬底基板。
作为本实用新型提供的OLED显示器的一种改进,还包括形成在所述衬底基板的显示区上的有机功能层和第二电极。
作为本实用新型提供的OLED显示器的一种改进,所述第一电极为透明阳极,所述第二电极为金属阴极。
作为本实用新型提供的OLED显示器的一种改进,所述第一电极为金属阳极,所述第二电极为透明阴极。
作为本实用新型提供的OLED显示器的一种改进,所述透明阴极材质为镁银合金或Al/ITO。
一种OLED显示装置,其包括任一上述的OLED显示器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的