[实用新型]一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽有效
申请号: | 201720853933.4 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN206961801U | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 周守亮;苏世杰;顾峰 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(合肥)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;C23F1/08;C23F1/24 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 schmid 刻蚀 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅片刻蚀技术领域,具体为一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽。
背景技术
硅片在磷扩散形成PN结过程中,虽然采用背靠背扩散,硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面而造成短路,所以我们要对扩散后的硅片进行边缘刻蚀。现有的SCHMID机台利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。
如说明书附图1所示,现有的SCHMID机台刻蚀槽由两段槽体组成,硅片由粘液滚轮传动,经过槽体一后由旋转装置旋转180°后再经过槽体二,槽体一和槽体二之间通过连接管相连,实现刻蚀液的内部循环,且槽体一和槽体二下端分别通过原手动阀一和原手动阀二连接于TANK槽进行补液,机台补液是外围酸通过机台系统设定补加到Tank槽内,再经过Tank槽的泵(控制循环流量),通过三个原手动阀一和三个原手动阀二打到槽体中,槽体二的下端还连接有Level Flood Box液位测试盒,通过Level Flood Box液位测试盒的液位设定,来实现对槽体液位精准的控制,达到设定值后,使循环流量趋于稳定设定值。
如说明书附图3所示,硅片在粘液滚轮上传动时不直接与液面接触,而是通过粘液滚轮与溶液接触,粘液滚轮转动过程中不断粘液带至硅片上,硅片四周边缘位置接触药液发生反应,然后通过旋转装置的转动,从而完成硅片四周的刻蚀。
但是现有的这种SCHMID刻蚀方法由于是滚轮粘液带至硅片进而发生反应,所以要求:
1、药液浓度非常高,装有刻蚀酸液的槽体酸气非常大,所以在粘液滚轮与粘液滚轮之间都有排风管路抽走酸气;
2、硅片在粘液滚轮上传动过程中,药液会从头部逐渐被带至尾部,导致硅片头部刻蚀轻、尾部刻蚀重,容易有头部刻蚀不完全现象,从而导致边缘漏电,所以在槽体一后加装一个旋转装置,硅片经过旋转装置时会旋转180°,然后再经过槽体二,这样就能保证硅片头尾刻蚀均匀,从而减少漏电的发生。但是这种方法硅片在经过旋转装置旋转时硅片水膜上面的水就会洒到槽体内降低了刻蚀酸液的浓度,还容易导致水膜破水,经过槽体二时产生刻蚀线;
3、槽体一和槽体二中间的旋转装置由于长期处于酸性溶液腐蚀中容易损坏,维修难度大且维修成本高。
所以这种SCHMID刻蚀槽在对硅片刻蚀时,由于硅片与刻蚀液的接触方式是通过滚轮的传递,并不直接接触,导致了整个刻蚀槽的耗酸量增加,而且旋转装置系统易损坏,维修难度大维修成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽,包括槽体,所述槽体开口处水平设置有若干螺旋背抛滚轮,且槽体两端的外侧壁上分别活动设置有前挡板和后挡板;
所述槽体下端设置有手动阀,所述手动阀与TANK槽相连,且槽体还连接有液位测试盒。
优选的,所述手动阀设置有三个。
优选的,所述槽体的后挡板外侧设置有输送滚轮。
优选的,所述前挡板和后挡板均为上下高度调节板。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型槽体的进料和出料两端分别活动安装有前挡板和后挡板,可以通过前挡板和后挡板的高度调节,来控制槽体内刻蚀液的液面高度,当硅片在进入槽体后,使得硅片可以与液面直接接触发生刻蚀反应,而且由于硅片不再需要粘液滚轮作为刻蚀液的传递中介,所以将粘液滚轮换成螺旋背抛滚轮,使得硅片在槽体内的刻蚀效果更好。
本实用新型通过单独一个槽体的刻蚀作用,就可以完成对硅片四周的刻蚀作用,所以不再需要通过旋转装置对硅片进行转动,实现了可以对旋转装置以及带动旋转装置的电机系统的拆卸效果,避免了旋转装置长期处于酸性药液腐蚀中易坏维修的现象的发生。
本实用新型的可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽配合着其使用方法,首先通过前挡板和后挡板的设置,起到改变液面高度的作用,来改变硅片与液面的接触方式,并配合着螺旋背抛滚轮的带动作用,能够有效的使硝酸酸耗降低80%、氢氟酸降低65%,大大节约了酸耗成本,而且酸耗的下降,也不再需要设置排风管;而且本实用新型不再需要旋转装置,大大提高了SCHMID机台稼动率,且降低了设备维修成本,非常有效。
附图说明
图1为原有刻蚀槽的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造