[实用新型]一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽有效
| 申请号： | 201720853933.4 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN206961801U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周守亮;苏世杰;顾峰 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（合肥）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306;C23F1/08;C23F1/24 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 schmid 刻蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽，包括槽体(1)，其特征在于：所述槽体(1)开口处水平设置有若干螺旋背抛滚轮(2)，且槽体(1)两端的外侧壁上分别活动设置有前挡板(3)和后挡板(4)；
所述槽体(1)下端设置有手动阀(5)，所述手动阀(5)与TANK槽(6)相连，且槽体(1)还连接有液位测试盒(7)。
2.根据权利要求1所述的一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽，其特征在于：所述手动阀(5)设置有三个。
3.根据权利要求1所述的一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽，其特征在于：所述槽体(1)的后挡板(4)外侧设置有输送滚轮(8)。
4.根据权利要求1所述的一种可降低酸耗的SCHMID刻蚀槽，其特征在于：所述前挡板(3)和后挡板(4)均为上下高度调节板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
