[实用新型]一种改进型高功率二极管有效

专利信息
申请号: 201720843000.7 申请日: 2017-07-12
公开(公告)号: CN206907756U 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 周明银 申请(专利权)人: 东莞市凌讯电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/52;H01L29/861
代理公司: 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙)44251 代理人: 范亮
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进型 功率 二极管
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电子元器件技术领域,尤其是指一种改进型高功率二极管。

背景技术

二极管,电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。

目前,实现二极管的大功率输出需要配备多个芯片,但芯片过多会增加成本,过少的芯片会导致放大的功率不足;现有全包封高功率的二极管存在散热效率慢的问题,导致芯片容易烧坏;对于高电压器件,需配备相对应的大功率二极管,现有的大功率二极管的两根引线之间容易发生放电,而这种放电是沿外壳表面爬行,但由于引脚之间的间隔过,导致放电的爬行距离短,安全性低,耐高压能力低。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种高效散热而且耐高压电能力强的改进型高功率二极管。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:

一种改进型高功率二极管,包括底板、设于底板的外壳、设于底板的芯片部以及依次设于底板的第一引脚、第二引脚和第三引脚,所述第一引脚与第三引脚均设有焊接部,第二引脚与底板连接,所述外壳边沿处开设有第一缺口和第二缺口,所述第一缺口位于第一引脚与第二引脚之间,所述第二缺口位于第二引脚与第三引脚之间;所述芯片部设有至少两个芯片,该至少两个芯片均与其所对应的焊接部通导线电连接;所述底板的一端设有散热部,该散热部的厚度小于底板的厚度;所述底板下表面与第一引脚上表面之间的距离为0.68至0.87cm。

优选的,所述至少两个芯片阵列排布于所述芯片部。

优选的,所述底板开设有连接孔。

优选的,所述外壳由塑封料注塑成型。

本实用新型的有益效果在于:

本实用新型提供了一种改进型高功率二极管,第一缺口位于第一引脚与第二引脚之间,所述第二缺口位于第二引脚与第三引脚之间,增加了放电爬行的距离,从而有效提高二极管的安全性以及耐高电压性能;至少两个芯片有效提高了该二极管的放大功率;散热部的厚度小于底板的厚度,利用热传递效果,从而有效降低芯片部的热量,确保二极管能够正常的运行。

附图说明

图1为本实用新型的立体结构示意图。

图2为本实用新型底板的立体结构示意图。

图3为本实用新型底板另一视角的立体结构示意图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例对本实用新型作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。

如图1至图3所示,一种改进型高功率二极管,包括底板1、设于底板1的外壳2、设于底板1的芯片部3以及依次设于底板1的第一引脚4、第二引脚5和第三引脚6,所述第一引脚4与第三引脚6均设有焊接部7,第二引脚5与底板1连接,所述外壳2边沿处开设有第一缺口8和第二缺口9,所述第一缺口8位于第一引脚4与第二引脚5之间,所述第二缺口9位于第二引脚5与第三引脚6之间;所述芯片10部3设有至少两个芯片10,该至少两个芯片10均与其所对应的焊接部7通导线电连接;所述底板1的一端设有散热部11,该散热部11的厚度小于底板1的厚度;所述底板1下表面与第一引脚4上表面之间的距离为0.68至0.87cm。

优选的,芯片10数目为两个,底板1下表面与第一引脚4上表面之间的距离为0.72cm,其中一个芯片10与第一引脚4的焊接部7通过导线电连接,另一个芯片10与第三引脚6的焊接部7通过导线电连接;第一缺口8位于第一引脚4与第二引脚5之间,所述第二缺口9位于第二引脚5与第三引脚6之间,增加了放电爬行的距离,从而有效提高二极管的安全性以及耐高电压性能;两个芯片10有效提高了该二极管的放大功率;散热部11的厚度小于底板1的厚度,利用热传递效果,从而有效降低芯片部3的热量,确保二极管能够正常的运行。

本实施例中,所述至少两个芯片10阵列排布于所述芯片部3,优选芯片10数目为两个,阵列排布既美观,也方便芯片10与焊接部7导线的连接。

本实施例中,所述底板1开设有连接孔12,连接孔12用于固定二极管。

本实施例中,所述外壳2由塑封料注塑成型,塑封料注塑成型的外壳2能更好的保护芯片部3,而且该外壳2的绝缘性能强。

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