[实用新型]一种半导体激光泵浦的调Q激光器有效

专利信息
申请号: 201720689077.3 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN206864858U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 万仁亮;鲍日焰 申请(专利权)人: 福建海创光电有限公司
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;H01S3/042
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司35211 代理人: 余小丽
地址: 350005 福建省福州市高新*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 激光 激光器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及激光技术领域,尤其是一种半导体激光泵浦的调Q激光器。

背景技术

半导体泵浦的调Q脉冲激光器由于其全固态,可靠性高,效率高和寿命长等优点得到广泛的应用,目前眼安全的1.5um波长附近的半导体泵浦的调Q脉冲激光器在激光测距及激光雷达方面的应用得到了快速发展,通常采用掺铒的玻璃加掺钴的调Q晶体来实现1.5um的调Q脉冲激光输出,比如李大汕在中国专利CN202111365U中所介绍的,但由于其增益介质是采用块状结构,其散热性能不是很好,导致输出的激光功率受限。

发明内容

为了解决现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种散热性能优良,设计合理的半导体激光泵浦的调Q激光器。

为了实现上述的技术目的,本实用新型的技术方案为:

一种半导体激光泵浦的调Q激光器,其包括依序设置的半导体泵浦源、耦合系统、第一腔镜、增益介质、调Q晶体和第二腔镜,所述的增益介质为掺杂有铒或铒镱共掺的光纤。

进一步,所述的第一腔镜镀设有与泵浦波长相对应的增透膜以及相应工作波长的全反膜,所述的第二腔镜镀设有相应工作波长的部分反射膜。

进一步,所述的第一腔镜为直接镀设在增益介质与其相近的端面上,所述的第二腔镜为直接镀设在调Q晶体与其相近的端面上。

进一步,所述的增益介质与调Q晶体相互胶合为一体。

进一步,所述的增益介质与调Q晶体之间设有准直透镜。

作为准直透镜的其中一种设置方式,优选的,所述的准直透镜与增益介质相胶合或焊接为一体。

作为准直透镜的另一种设置方式,优选的,所述的准直透镜与调Q晶体胶合为一体。

进一步,所述的耦合系统为一个以上透镜构成,所述透镜的端面镀设有与半导体泵浦源发出泵浦光的波长相适应的增透膜。

采用上述的技术方案,本实用新型相较于现有技术,其具有的有益效果为:通过增益介质采用散热面积与体积之比很高的掺铒或铒镱共掺的光纤结构,使得增益介质的散热性能大大提升,避免了由于散热不佳导致的输出功率受限的问题,从而实现了更高功率的激光输出。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步的阐述:

图1是本实用新型半导体激光泵浦的调Q激光器实施例1的结构示意图;

图2是本实用新型半导体激光泵浦的调Q激光器实施例2的结构示意图;

图3是本实用新型半导体激光泵浦的调Q激光器实施例3的结构示意图;

图4是本实用新型半导体激光泵浦的调Q激光器实施例4的结构示意图;

图5是本实用新型半导体激光泵浦的调Q激光器实施例5的结构示意图。

具体实施方式

一种半导体激光泵浦的调Q激光器,其包括依序设置的半导体泵浦源、耦合系统、第一腔镜、增益介质、调Q晶体和第二腔镜,所述的增益介质为掺杂有铒或铒镱共掺的光纤。

进一步,所述的第一腔镜镀设有与泵浦波长相对应的增透膜以及相应工作波长的全反膜,所述的第二腔镜镀设有相应工作波长的部分反射膜。

进一步,所述的第一腔镜为直接镀设在增益介质与其相近的端面上,所述的第二腔镜为直接镀设在调Q晶体与其相近的端面上。

进一步,所述的增益介质与调Q晶体相互胶合为一体。

进一步,所述的增益介质与调Q晶体之间设有准直透镜。

作为准直透镜的其中一种设置方式,优选的,所述的准直透镜与增益介质相胶合或焊接为一体。

作为准直透镜的另一种设置方式,优选的,所述的准直透镜与调Q晶体胶合为一体。

进一步,所述的耦合系统为一个以上透镜构成,所述透镜的端面镀设有与半导体泵浦源发出泵浦光的波长相适应的增透膜。

实施例1

如图1所示,本实用新型半导体激光泵浦的调Q激光器包括依序设置的半导体泵浦源101、耦合系统102、第一腔镜103、增益介质104、调Q晶体105、第二腔镜106。

半导体泵浦源101发射的泵浦光,经过耦合系统102,其中,耦合系统102为一个或一个以上透镜构成,其端面镀有与半导体泵浦源101发出的泵浦光的波长相适应的增透膜,经耦合系统102耦合后的泵浦光穿过第一腔镜103,再从增益介质104的端面进入增益介质104,并被增益介质104所吸收。

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