[实用新型]一种半导体激光泵浦的调Q激光器

权利要求书

1.一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：其包括依序设置的半导体泵浦源、耦合系统、第一腔镜、增益介质、调Q晶体和第二腔镜，所述的增益介质为掺杂有铒或铒镱共掺的光纤。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：所述的第一腔镜镀设有与泵浦波长相对应的增透膜以及相应工作波长的全反膜，所述的第二腔镜镀设有相应工作波长的部分反射膜。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：所述的第一腔镜为直接镀设在增益介质与其相近的端面上，所述的第二腔镜为直接镀设在调Q晶体与其相近的端面上。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：所述的增益介质与调Q晶体相互胶合为一体。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：所述的增益介质与调Q晶体之间设有准直透镜。

6.根据权利要求5所述的一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：所述的准直透镜与增益介质相胶合或焊接为一体。

7.根据权利要求5所述的一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：所述的准直透镜与调Q晶体胶合为一体。

8.根据权利要求1所述的一种半导体激光泵浦的调Q激光器，其特征在于：所述的耦合系统为一个以上透镜构成，所述透镜的端面镀设有与半导体泵浦源发出泵浦光的波长相适应的增透膜。