[实用新型]一种NOR型浮栅存储器

权利要求书

1.一种NOR型浮栅存储器，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；

形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；

形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层；

形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；

所述浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层；

形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅的上方的层间绝缘层；

形成在所述层间绝缘层上方的控制栅；形成在所述控制栅上方的字线；

所述源极和所述漏极复用为位线。

2.根据权利要求1所述的NOR型浮栅存储器，其特征在于，

所述层间绝缘层的介电常数大于或等于9。

3.根据权利要求2所述的NOR型浮栅存储器，其特征在于，

所述层间绝缘层的材料为钽基氧化物薄膜、铝基氧化物薄膜、铪基氧化物薄膜以及锆基氧化物薄膜中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的NOR型浮栅存储器，其特征在于，

所述层间绝缘层的厚度范围为小于等于。