[实用新型]一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置

权利要求书

1.一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，包括数字示波器、脉冲发生器、容性探头和样品台，容性探头设置在样品台的上方，所述样品台上堆叠有金属电极和绝缘体，待测样品放置在金属电极上，金属电极与脉冲发生器相连，脉冲发生器频率、幅度可调；所述容性探头包括相连的电容活动极和电荷放大器，电容活动极一端为探测面，设置在待测样品的正上方，电荷放大器与数字示波器相连；数字示波器用于显示测量信号波形对应的充电时间和电压幅值。

2.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述容性探头固定在一微调装置上，该微调装置用于调节容性探头内电容活动极的端面与待测样品表面的距离。

3.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述容性探头内设有屏蔽罩，电容活动极位于该屏蔽罩中，电容活动极固定在该屏蔽罩内部一固定装置上，该固定装置由绝缘材料制成。

4.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述金属电极表面平整度保持在5μm以内。

5.根据权利要求4所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述金属电极采用黄铜制备。

6.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述样品台底部设有一用于使样品台进行一定角度摆动的调平装置。

7.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，脉冲发生器提供频率、幅度可调的方波。

8.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述电容活动极采用直径为1mm、2mm或3mm，长50-90mm的铜棒，与样品台相对一端的端面平整度小于5μm，另一端通过屏蔽电缆与电荷放大器相连。

9.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置与一工控机连接，工控机内置一数据采集卡，数据采集卡的BNC接口直接与该装置连接。