[实用新型]防硫化的LED封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及防硫化的LED封装结构。

背景技术

如图1所示，为现有的LED芯片封装结构。在IC封装、LED封装等半导体集成电路封装过程中，采用镀银层框架进行固晶、焊线、封胶是常规的封装工艺，特别是封胶工艺，封装结构直接影响产品的良率和可靠性。封胶工艺是在已经固晶、焊线后的框架内点上封装层，达到保护线材、芯片和提高光效定制出光颜色的作用。

LED封装中，金属层的镀银层靠封装层的保护，LED芯片的光靠金属层表面的镀银层反射出去。现有的LED芯片封装结构的封装层直接与金属层粘接，这样，具有以下的不足：封装层的粘接力不足，会导致与金属层分层，降低了LED的发光效果甚至死灯；封装层膨胀系数高，气密性不好会导致金属层表面的镀银层与有害气体接触，导致金属层表面的镀银层硫化或氧化造成LED亮度下降甚至死灯；封装层的散热/导热系数很差，金属层表面的镀银层受热不均匀，局部易受热碳化，导致产品亮度下降、死灯；金属层表面的镀银层的反射率比较低，导致不能完全将光反射出去，降低产品的光通量，进而增加了产品的成本；由于封装层的膨胀系数问题，会导致封装层将芯片和线材拔起，导致产品失效。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提出了一种防硫化的LED封装结构，该LED封装结构在封装层与金属层表面的镀银层之间设有散热层，散热层很好的与封装层、金属层表面的镀银层相粘合，解决了现有LED封装结构因为封装层密封性、散热性差、膨胀系数差，容易导致金属层表面的镀银层被硫化或碳化，降低了LED的发光效果的问题。

为了实现上述目的，本实用新型技术方案如下：

一种防硫化的LED封装结构，包括LED支架、LED芯片、导热层、封装层。LED支架包含第一金属层、第二金属层、LED围边。第一金属层与第二金属层设置在同一平面上，且第一金属层、第二金属层相隔离。LED围边位于第一金属层、第二金属层的上面；LED围边围绕第一金属层、第二金属层形成容腔。LED芯片位于该容腔内。LED芯片的两极分别与第一金属层、第二金属层电气连接。导热层位于容腔的内底部，密封第一金属层、第二金属层在容腔内的表面。封装层填充容腔的内部的剩余空间。

进一步地，导热层为非透光体且表面平滑。LED芯片的厚度不低于导热层的厚度。

进一步地，导热层的由硅油、气相二氧化硅、钛白粉材质制成。

进一步地，导热层与LED芯片相接触。

进一步地，LED芯片的两极分别通过导线与第一金属层、第二金属层电气连接。导热层密封第一金属层、第二金属层与导线的焊接点。

进一步地，LED芯片的两极分别通过倒桩焊接的方式与第一金属层、第二金属层电气连接；导热层密封LED芯片四周。

进一步地，第一金属层、第二金属层分别包含基材层，绝缘层、电气功能层、光学功能层和/或保护层。

本实用新型的有益效果：

(1)该LED封装结构在封装层与金属层表面的镀银层之间设有散热层，散热层很好的与封装层、金属层相粘合，散热层不易与金属层相分离，气密性好，避免金属层表面被硫化。

(2)散热层与LED芯片相接触，将LED的热量及时的导出去，金属层表面不易被碳化，保障了LED的亮度并提高了产品的寿命。

(3)位于金属层表面上的散热层为非透光体且表面光滑，通过散热层的表面对光源进行反射，这样即使金属层表面被硫化，也不会影响光的反射。

(4)导热层密封金属层与导线的焊接点,防止焊线被封装层拔起，提高产品的可靠性。

附图说明

图1为现有的LED封装结构示意图。

图2为本实用新型的LED封装结构示意图。

其中，图1至图2的附图标记为：LED支架1、LED芯片2、导热层3、封装层4、导线5；第一金属层11、第二金属层12、LED围边13。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，进一步阐述本实用新型。

如图2所示，一种防硫化的LED封装结构，包括LED支架1、LED芯片2、导热层3、封装层4、两条导线5。

LED支架1呈凹槽状。LED支架1包含第一金属层11、第二金属层12、LED围边13。