[实用新型]射频放大器和电子电路有效

专利信息
申请号: 201720457770.8 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN206977389U 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: L·福格特 申请(专利权)人: 意法半导体有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F1/02;H03F3/195;H03F1/26
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华,张昊
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 射频放大器 电子电路
【说明书】:

技术领域

本说明书总体上涉及电子电路,并且更具体地涉及射频放大器和电子电路。

背景技术

射频放大器被用于许多应用中以便放大各种数字和模拟信号。具体而言,此类放大器被高频率地用在用于传输无线电信号的应用中。

这些应用中传输频率(现已达到几十千兆赫)的提升以及其在低消耗应用中与COMS或BiCOMS技术集成对这些应用的生产过程产生了新的限制,特别是在偏置和消耗方面。

实用新型内容

一个实施例提出了一种RF放大器电路,该RF放大器电路完全或部分地克服了偏置和调节方法的缺点。

一个实施例提出了一种适用于在几十千兆赫下运行的高频应用的方案。

因此,一个实施例提供了射频放大器,其包括电源和偏置级,该射频放大器的放大级包括至少一个MOS晶体管,该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子,并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子,其中所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的,其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。

根据一个实施例,该偏置级包括第一放大器,该放大器用于以参考值调节表示该晶体管的该第一导电端子的电压的信息,该第一放大器的输出端提供该偏置电压。

根据一个实施例,该偏置级还包括第二放大器,该第二放大器用于以该参考电流调节表示该第一晶体管的该第一导电端子的电压的信息并且以参考电流调节该偏置电流,该第二放大器的输出端控制供应该偏置电流的电流源(N51)。

根据一个实施例,这些晶体管中的所有或部分是MOS晶体管。

根据一个实施例,这些晶体管中的所有或部分是双极型晶体管。

根据一个实施例,该参考电流是由具有固定值的电流源提供的。

一个实施例提供了一种RF放大器,包括:

放大级;以及

电源和偏置级。

一个实施例提供了一种电子电路,该电子电路集成有至少一个上述射频放大器。

附图说明

这些特征和优点以及其他将参照附图在以非限定方式给出的具体实施例的以下说明中进行详细说明,其中:

图1是RF放大器集成在其应用环境中的示例的简化方框图;

图2是带有经调节电压和电流的RF放大器的简化方框图;

图3以非常示意性的方式并且以方框的形式示出了RF放大器的放大级的一个实施例;

图4示出了RF放大器的电源和偏置级的实施例的电子电路图;

图5示出了RF放大器的电源和偏置级的另一个实施例的电子电路图;

图6是图5中所示的实施例的一个实际示例的更加具体的电子电路图;

图7以简化的方式并且以方框的形式示出了将电源和偏置级(调节/偏置)应用到差分RF放大器中;并且

图8以简化的方式并且具体而言以方框的形式示出了RF放大器的另一个实施例。

具体实施方式

相同的元件在不同的图中使用相同的标记指示。为清楚起见,仅仅示出了对有待说明实施例的理解有用的元件并且将详细说明。具体而言,RF放大器上游和下游的电路以及其偏置电流没有详细示出,与这些电流兼容的所述实施例通常被连接到RF放大器上。此外,也没有对RF放大器各种可能应用进行详细说明,这里所描述的实施例同样与常规应用是兼容的。在以下说明书中,表述“大致”、“约”、“大约”意味着在10%之内,优选地,在5%之内。

应注意的是,在附图中,不同实施例共用的结构性和/或功能性元件可以具有相同的参考并且可以具有相同结构、大小以及硬件特性。

图1是RF放大器集成在其应用环境中的示例的方框图。

RF放大器1(RF AMP)具有放大射频信号RF输入的功能,其接收射频信号RF输入以便产生射频信号RF输出

根据应用,该信号RF输入可以来自各种上游源或电路12。如果必要的话,在提供有待被放大的信号的电路12与该放大器1之间插入前置放大器2(PRE AMP)。类似地,根据应用,该信号RF输出旨在用于各种下游功能或电路14。

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