[实用新型]射频放大器和电子电路有效

专利信息
申请号: 201720457770.8 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN206977389U 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: L·福格特 申请(专利权)人: 意法半导体有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F1/02;H03F3/195;H03F1/26
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华,张昊
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 射频放大器 电子电路
【权利要求书】:

1.一种射频放大器(1),包括电源和偏置级(4),所述射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管(N33),所述MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31),并且所述MOS晶体管的第一导电端子(D)被连接到输出端子(36),其特征在于,所述晶体管的所述控制端子的偏置电压(V偏置)是受控的,其方式为同时以标称值(V参考)调节所述放大级的电源电压并且以标称值调节所述放大级的偏置电流(I偏置)。

2.根据权利要求1所述的射频放大器,其特征在于,所述偏置级包括第一放大器(43,53),所述第一放大器用于以参考值(V参考)调节表示所述晶体管(N33)的所述第一导电端子的电压的信息,所述第一放大器的输出端提供所述偏置电压(V偏置)。

3.根据权利要求2所述的射频放大器,其特征在于,所述偏置级还包括第二放大器(56),所述第二放大器用于以所述参考值(V参考)调节表示所述晶体管(N33)的所述第一导电端子的电压的信息并且以参考电流来调节所述偏置电流(I偏置),所述第二放大器的输出端控制供应所述偏置电流的电流源(P51)。

4.根据权利要求3所述的射频放大器,其特征在于,所述参考电流是由具有固定值的电流源(41,58)提供的。

5.根据权利要求1所述的射频放大器,其特征在于,所述晶体管中的所有或部分晶体管是MOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的射频放大器,其特征在于,所述晶体管中的所有或部分晶体管是双极晶体管。

7.一种电子电路,其特征在于,所述电子电路集成有至少一个根据权利要求1-6中任一项所述的射频放大器。

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