[实用新型]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

输入输出焊盘；

端子，所述端子被适配成连接至参考电势源；

晶闸管，所述晶闸管前向连接在所述焊盘与所述端子之间，所述晶闸管包括PNPN结构、阳极栅极、阴极栅极、以及在所述阴极栅极与所述端子之间的第一电阻器；以及

齐纳二极管，所述齐纳二极管耦合在所述晶闸管与所述焊盘之间，所述齐纳二极管具有耦合至所述晶闸管的所述阴极栅极的阳极以及经由第二电阻器耦合至所述焊盘的阴极，所述齐纳二极管具有与所述晶闸管的所述PNPN结构的结不同的结。

2.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，进一步包括第三电阻器，所述第三电阻器在所述晶闸管的所述阳极栅极与所述焊盘之间。

3.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，进一步包括二极管，所述二极管具有耦合至所述端子的阳极以及耦合至所述焊盘的阴极。

4.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，进一步包括集成电路，所述集成电路耦合至所述输入输出焊盘，所述晶闸管与所述齐纳二极管耦合以便保护所述集成电路免于静电放电。

5.一种半导体设备，其特征在于，包括：

掺杂衬底，所述掺杂衬底属于第一导电类型并且具有表面；

第一掺杂半导体区域，所述第一掺杂半导体区域属于与所述第一导电类型相反的第二导电类型并且在所述衬底中从所述表面延 伸，所述第一掺杂半导体区域包括第一部分，所述第一部分沿着第一方向延伸并且在每一端由第二部分接续，所述第二部分沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸；

输入输出焊盘，所述输入输出焊盘在所述衬底的所述表面处；

端子，所述端子在所述衬底的所述表面处并且被适配成连接至参考电势源；

晶闸管，所述晶闸管前向连接在所述焊盘与所述端子之间，所述晶闸管包括阳极栅极、阴极栅极以及在所述阴极栅极与所述端子之间的第一电阻器，所述晶闸管被形成为包括第一晶体管和第二晶体管的PNPN结构，所述第一掺杂半导体区域的所述第一部分形成所述第一晶体管的基极；以及

齐纳二极管，所述齐纳二极管耦合在所述晶闸管与所述焊盘之间，所述齐纳二极管具有耦合至所述晶闸管的所述阴极栅极的阳极以及经由第二电阻器耦合至所述焊盘的阴极，所述齐纳二极管具有与所述晶闸管的所述PNPN结构的结不同的结。

6.如权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，包括控制器，所述控制器被耦合以便在所述第二晶体管之前、之后或同时接通所述第一晶体管。

7.如权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括第二掺杂半导体区域，所述第二掺杂半导体区域属于所述第一导电类型，比所述衬底更重掺杂，在所述第一掺杂半导体区域的所述第一部分中仅向下延伸至所述第一掺杂半导体区域的所述第一部分的深度的一部分，所述第二掺杂半导体区域形成所述第一晶体管的发射极。

8.如权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，在所述第一掺杂半导体区域的每个第二部分中，所述半导体设备包括第三掺杂半 导体区域，所述第三掺杂半导体区域属于所述第一导电类型，比所述衬底更重掺杂，在所述第一掺杂半导体区域的所述第二部分中仅向下延伸至所述第一掺杂半导体区域的所述第二部分的深度的一部分，所述第三掺杂半导体区域形成所述齐纳二极管的所述阳极。

9.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，在所述第一掺杂半导体区域的每个第二部分中，属于所述第二导电类型的第四掺杂半导体区域从所述表面延伸，横跨所述第三掺杂半导体区域并与所述第一掺杂半导体区域的所述第二部分接触，所述第四掺杂半导体区域形成所述齐纳二极管的所述阴极。

10.如权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括属于所述第二导电类型的第五掺杂半导体区域，所述第五掺杂半导体区域位于所述衬底深处，所述第一掺杂半导体区域部分地覆盖所述第五掺杂半导体区域并且与所述第五掺杂半导体区域接触。

11.如权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，所述第五掺杂半导体区域界定了所述衬底的第一掺杂半导体区域，所述第一掺杂半导体区域覆盖所述第五掺杂半导体区域并且形成所述第二晶体管的基极。