[实用新型]一种隔离层及晶圆组件有效
| 申请号: | 201720286958.0 | 申请日: | 2017-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN206672906U | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
| 发明(设计)人: | 王志伟 | 申请(专利权)人: | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 315800 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 隔离 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶圆领域,尤其涉及一种隔离层及晶圆组件。
背景技术
当今时代,集成电路应用于各种数码电子产品中,如手机、电脑、平板电脑,硅晶片作为一种半导体,其在集成电路中的作用十分关键,晶圆即硅晶片作为一种半导体功率器件,由于其功率特性的要求,一般都要求在正面加工完成后,将晶圆减薄到指定的厚度,然后将背面制作金属电极,一般的背面金属电极的最外层为银,薄片晶圆的包装盒一般采用圆形的包装方式,将缓冲材料和隔离纸垫层在晶圆的两侧,形成保护。由于晶圆背面的最外层金属银的活性很强,非常容易被氧化,并且很容易和氯离子反应产生白斑,严重影响后续的加工和使用,而且白斑在隔离纸导电的情况下还会发生原电池反应,从而导致白斑扩散。一般的针对白斑,采用的方法:选用绝缘的隔离纸以防止被氧化的金属银白斑扩散,但是这种做法同样存在问题,双面均是绝缘层,则会导致隔离纸表面产生静电积累,最终将导致造成晶圆器件损伤。
实用新型内容
为解决现有技术晶圆白斑扩散以及静电积累对晶圆器件造成损害的技术问题,本实用新型提供了一种隔离层及晶圆组件。
本实用新型提供的一种隔离层,所述隔离层包括第一隔离层和第二隔离层,所述第一隔离层为绝缘层,所述绝缘层设有绝缘介质,所述第二隔离层为导电层,所述导电层设有导电介质。
作为本实用新型的一种优化方案,所述导电介质为导电碳粉,所述绝缘介质为聚乙烯。
更进一步的,所述隔离层的第一隔离层的电阻率为1E9-1E22Ω·cm,所述隔离层的第二隔离层的电阻率为1E-1E3Ω·cm。
进一步的,所述隔离层的厚度为50-300um。
本实用新型提供了一种晶圆组件,所述晶圆组件包括晶圆本体、至少2个隔离层,所述隔离层为上述实施例中任意一项所述的隔离层,所述晶圆本体包括第一晶圆面、第二晶圆面,所述隔离层对所述晶圆本体形成保护,防止所述晶圆本体受损。
进一步的,所述第一晶圆面与隔离层的第一隔离层接触,所述第二晶圆面与另一个隔离层的第二隔离层接触。
有益效果:本实用新型提供了一种隔离层及具有该隔离层的晶圆组件,所述隔离层包括第一隔离层和第二隔离层,通过在所述第一隔离层上设置绝缘介质聚乙烯,避免晶圆表面产生白斑以及白斑发生原电池反应而发生白斑扩散;通过在所述第二隔离层上设置导电介质,可以将所述晶圆表面的静电及时吸收,防止静电积累,从而导致对晶圆表面造成损伤。所述隔离层对所述晶圆形成有效地隔离保护,保证所述晶圆不遭受静电损伤,提高了晶圆产品的稳定性和安全性。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的隔离层示意图。
图2为本实用新型实施例提供的晶元组件的包装盒示意图。
附图标记说明
晶圆组件1;隔离层11;第一隔离层111;第二隔离层112;晶圆本体12;第一晶圆面121;第二晶圆面122;缓冲层3;包装盒4。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个、三个等,除非另有明确具体的限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





