[实用新型]一种隔离层及晶圆组件有效
| 申请号： | 201720286958.0 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN206672906U | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王志伟 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 组件 | ||
【权利要求书】：
1.一种隔离层，其特征在于，所述隔离层包括第一隔离层和第二隔离层，所述第一隔离层为绝缘层，所述绝缘层设有绝缘介质，所述第二隔离层为导电层，所述导电层设有导电介质。
2.根据权利要求1所述的隔离层，其特征在于，所述导电介质为导电碳粉，所述绝缘介质为聚乙烯。
3.根据权利要求1所述的隔离层，其特征在于，所述隔离层的第一隔离层的电阻率为1E9-1E22Ω·cm，所述隔离层的第二隔离层的电阻率为1E-1E3Ω·cm。
4.根据权利要求1所述的隔离层，其特征在于，所述隔离层的厚度为50-300um。
5.一种晶圆组件，其特征在于，所述晶圆组件包括晶圆本体、至少2个用于对所述晶圆本体形成保护的隔离层，所述隔离层为权利要求1-4所述的隔离层，所述晶圆本体包括第一晶圆面、第二晶圆面。
6.根据权利要求5所述的晶圆组件，其特征在于，所述第一晶圆面与隔离层的第一隔离层接触，所述第二晶圆面与另一个隔离层的第二隔离层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
