[实用新型]一种高导电石墨舟有效
申请号: | 201720163619.3 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN206505901U | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 何达能;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 528137 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 石墨 | ||
1.一种高导电石墨舟,其特征在于:它主要由绝缘棒和在水平方向上排列的数个单元舟片组成,所述单元舟片为竖直设置的片状体,相邻的单元舟片之间具有间隙,所述绝缘棒于各单元舟片的周缘贯穿而将全部的单元舟片连接固定在一起,位于两外侧的单元舟片上的内外表面上设有若干与硅片形状相同且其尺寸小于硅片尺寸的凹槽,位于每个外侧单元舟片内外表面上的凹槽相对应,在凹槽的槽底面上设有贯通该对应凹槽的用于抽真空的细孔,位于中间的单元舟片上设有若干与硅片形状相同且其尺寸小于硅片尺寸的通孔,在所述凹槽和通孔的外围设有用于固定硅片的卡点,硅片贴附在凹槽和通孔上由卡点固定且硅片的周缘遮盖在凹槽和通孔的周边区域上,在所述卡点上以及凹槽和通孔的周边区域上均涂覆有耐磨导电涂层。
2.根据权利要求1所述的高导电石墨舟,其特征在于:所述单元舟片的数量为2~50,相邻单元舟片之间的间距为5~50mm。
3.根据权利要求2所述的高导电石墨舟,其特征在于:所述凹槽和通孔在其所处的单元舟片上呈阵列均匀分布,阵列的形状为正方形、长方形、圆形或六边形。
4.根据权利要求3所述的高导电石墨舟,其特征在于:位于每个单元舟片上的凹槽和通孔的数量分别为5~20,相邻的通孔之间、相邻的凹槽之间的距离为5~300mm。
5.根据权利要求4所述的高导电石墨舟,其特征在于:所述凹槽的深度为0.5~10mm,所述通孔的深度与单元舟片的厚度相同,为2~10mm。
6.根据权利要求5所述的高导电石墨舟,其特征在于:所述单元舟片上的凹槽和通孔的周边区域的宽度为2~30mm。
7.根据权利要求6所述的高导电石墨舟,其特征在于:所述绝缘棒采用陶瓷棒,所述陶瓷棒水平贯穿全部的单元舟片并在两外侧的单元舟片上通过固定部件固定。
8.根据权利要求7所述的高导电石墨舟,其特征在于:所述耐磨导电涂层为石墨烯涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造