[发明专利]一维结构WMCNT/MoS2复合材料及制备在审

专利信息
申请号: 201711479165.1 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108455672A 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 梁智萍;张松利;关创 申请(专利权)人: 镇江创智特种合金科技发展有限公司
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;C01B32/168;B82Y30/00;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212000 江苏省镇江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 制备 氧化还原反应 双电层电容 半胱氨酸 表面吸附 超级电容 电极材料 高速离心 高温退火 硫磺溶液 收集处理 水热条件 退火处理 一维结构 复合材料 复合物 结晶性 硫元素 生物质 钼酸铵 硫源 硫脲 位点 去除 成功
【说明书】:

发明采用多步操作,成功制备出一维的WMCNT/MoS2的复合物,首先通过高温退火去除WMCNT表面的杂质,随后用硫脲和硫磺溶液,对WMCNT材料的表面进行先期处理,通过静置处理在WMCNT表面吸附一层硫元素,作为以后反应的位点,通过高速离心处理收集处理的WMCNT,随后加入钼酸铵和生物质硫源L‑半胱氨酸,在水热条件下,反应生成我们需要的产物,最后为提高材料的结晶性以及增加WMCNT与MoS2之间的结合,我们对其进行退火处理。将其作为作为超级电容的电极材料,CV曲线显示出良好的对称性,显示出良好的双电层电容性能以及存在一定的氧化还原反应。

技术领域

本发明采用多步操作,以经过硫磺处理过表面的WMCNT为生长基体,并以生物质硫源L-半胱氨酸为硫源,成功制备出具有一维结构的WMCNT/MoS2复合材料,并具有良好的电化学性能。

技术背景

WMCNT(多壁碳纳米管)作为典型的一维材料,具有较多的比表面积以及良好的电化学性能,广泛应用于各种储能器件中,同时其优异的机械性能,柔性性能又十分适合制备全固态或柔性超级电容器。但是,由于WMCNT没有赝电容效应,从而限制其电化学性能的应用,对此我们可以通过将其与二维材料MoS2进行复合,制备出一维形态的WMCNT/MoS2的复合物,一维结构的复合形式,极大地提高了材料的比表面积,以及提供更多的活性位点,是一种有效的复合形式,利用两种的协同效应,又可以进一步改善两种的电容性能,具有优异的作用。

超级电容器作为一种新型的储能器件,已经有众多的形式,包括各种形式的全固态以及柔性超级电容器,可以适用于可穿戴器件领域,具有极高的科学发展前途,现在已经被全世界科研工作者广泛研究。

发明内容

本发明采用多步操作,成功制备出一维的WMCNT/MoS2的复合物,首先通过高温退火去除WMCNT表面的杂志,随后用硫脲和硫磺溶液,对WMCNT材料的表面进行先期处理,在WMCNT表面吸附一层硫元素,随后加入钼酸铵和生物质硫源L-半胱氨酸,在水热条件下,反应生成我们需要的产物,最后为提高材料的结晶性以及增加WMCNT与MoS2之间的结合,我们对其进行退火处理。将其作为作为超级电容的电极材料,显示出良好的电化学性能。

本发明的特征在于,首先用硫脲对碳纳米管的表面进行处理,形成微小的成核中心,再以简单的水热法将MoS2生长多壁碳纳米管的表面形成一维结构,具体的实验操作步骤如下:

(1)首先称取一定量的多壁碳纳米管(WMCNT),将其放入瓷舟中,通入惰性气体氩气,以5℃/min的升温速率加热到600℃,并保温2 h,随后自然冷却,收集产物;

(2)用量筒量取200 ml的无水乙醇于玻璃烧杯中,加入100 mg硫脲,溶解成硫脲溶液后,再加入步骤(1)中的产物一定量的 WMCNT于烧杯中,搅拌和超声振荡各1h,接着向该溶液中加入一定量的的硫磺,在超声振荡2 h后,放在0℃的冰箱中静置6h;

(3)将步骤(2)中的产物通过高速离心机离心收集,随后将其转移到80℃的烘箱中进行干燥24 h,完成后用玛瑙研钵研磨收集;

(4)用天平称取步骤(3)中的产物50 mg加入到100ml的去离子水中,充分搅拌后,再加入0.005 mol的钼酸钠(1.24 g)于上述溶液中,溶解后再加入0.015 mol的L-半胱氨酸(1.81 g)于上述溶液中,充分搅拌处理后,转移到150 ml的反应釜中,在200℃的反应条件下,水热反应12 h;

(5)步骤(4)反应结束后,通过去离子水和无水乙醇多次洗涤离心,去除反应杂质,最后放入80℃的真空干燥箱中,干燥48 h,随后用玛瑙研钵研磨处理,并收集所得黑色产物;

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