[发明专利]相变化记忆体及其制造方法

权利要求书

1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：

形成一下电极；

以一图案化制程形成一弓形加热器于该下电极上方；

形成一第一绝缘层覆盖该弓形加热器；

形成一上电极于该第一绝缘层上；

沉积一相变化层共形地覆盖该第一绝缘层与该上电极；

非等向性移除该上电极上方的该相变化层以暴露出该上电极，而形成一环状相变化层围绕该第一绝缘层与该上电极，其中该环状相变化层接触该弓形加热器外侧周围的一弧面；

沉积一第二绝缘层覆盖该上电极与该环状相变化层；以及

对该第二绝缘层、该上电极及该环状相变化层进行一平坦化制程，使该环状相变化层的顶表面、该上电极的顶表面与该第二绝缘层的顶表面共平面。

2.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在形成该下电极之前，还包含：

提供一基板；以及

形成一主动元件于该基板上，其中该下电极耦接该主动元件。

3.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在以该图案化制程形成该弓形加热器于该下电极上方的步骤前，还包含：

沉积一阻障层于该下电极上方。

4.根据权利要求3所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，还包含：

图案化该阻障层以形成一图案化阻障层，且该图案化阻障层暴露部分该下电极；以及

移除部分该图案化阻障层以形成一弓形阻障件于该下电极与该弓形加热器之间。

5.根据权利要求3所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该阻障层包含氮化钽。

6.一种相变化记忆体，其特征在于，包含：

一下电极，耦接一主动元件；

一第一绝缘层，位于该下电极上方；

一上电极，位于该第一绝缘层上方；

一弓形加热器，嵌于该第一绝缘层中；以及

一环状相变化层，围绕该第一绝缘层与该上电极，其中该环状相变化层接触该弓形加热器的一弧面，该弓形加热器具有一最大重叠宽度于垂直投影方向与该下电极重叠，且该最大重叠宽度小于该下电极的一截面宽度，该环状相变化层的顶表面与该上电极的顶表面共平面。

7.根据权利要求6所述的相变化记忆体，其特征在于，该最大重叠宽度与该下电极的该截面宽度的比值介于0.2至0.33之间。

8.根据权利要求6所述的相变化记忆体，其特征在于，该弓形加热器的径度介于π/2至π之间。