[发明专利]高压半导体装置

权利要求书

1.一种高压半导体装置，其特征在于，所述的高压半导体装置包括：

一基板结构；

一栅极结构，位于所述基板结构上；

一漏极掺杂区，位于所述基板结构内，且接近所述栅极结构的一第一侧；以及

一超接面掺杂结构，位于所述基板结构内，且接近所述漏极掺杂区，其中所述超接面掺杂结构包括：

多个第一导电类型掺杂次区，具有一第一导电类型，所述多个第一导电类型掺杂次区沿一第一方向延伸且沿一第二方向设置；以及

多个第二导电类型掺杂次区，具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型，所述多个第二导电类型掺杂次区沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向与所述多个第一掺杂部分交错设置，

其中所述多个第一导电类型掺杂次区各自沿所述第二方向的宽度沿所述第二方向呈线性递减，和其中所述多个第二导电类型掺杂次区各自沿所述第二方向的宽度沿所述第二方向呈线性递减；

所述基板结构包括：

一高电位区；

一低电位区，其与所述高电位区彼此隔开；以及

一电位转换区和一隔离区，设置于所述高电位区与所述低电位区之间，其中所述隔离区将所述电位转换区与所述高电位区彼此隔开；

其中所述超接面掺杂结构位于所述隔离区中；

所述第二方向为从接近超接面掺杂结构的中心区域至接近超接面掺杂结构的外围区域。

2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述多个第一导电类型掺杂次区各自沿所述第一方向的深度沿所述第二方向呈线性递减，或其中所述多个第二导电类型掺杂次区各自沿所述第一方向的深度沿所述第二方向呈线性递减。

3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述多个第一导电类型掺杂次区各自的掺质浓度沿所述第二方向呈线性递减，或其中所述多个第二导电类型掺杂次区各自的掺质浓度沿所述第二方向呈线性递减。

4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，所述基板结构包括：

一半导体基板，具有一第一导电类型；

一磊晶层，设于所述半导体基板上，其中所述磊晶层具有一第二导电类型，且所述第一导电类型与所述第二导电类型不同。

5.如权利要求4所述的高压半导体装置，其特征在于，所述的高压半导体装置更包括：

一源极掺杂区，位于所述基板结构内，且接近所述栅极结构的相反于所述第一侧的一第二侧，所述基板结构具有一顶面，所述源极掺杂区、栅极结构、漏极掺杂区皆在所述顶面。

6.一种高压半导体装置，其特征在于，所述的高压半导体装置包括：

一基板结构；

一栅极结构，位于所述基板结构上；

一漏极掺杂区，位于所述基板结构内，且接近所述栅极结构的一第一侧；以及

一超接面掺杂结构，位于所述基板结构内，且接近所述漏极掺杂区，其中所述超接面掺杂结构包括：

多个第一导电类型掺杂次区，具有一第一导电类型，所述多个第一导电类型掺杂次区沿一第一方向延伸且沿一第二方向设置；以及

多个第二导电类型掺杂次区，具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型，所述多个第二导电类型掺杂次区沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向与所述多个第一掺杂部分交错设置，

其中所述多个第一导电类型掺杂次区各自沿所述第一方向的深度、沿所述第二方向的宽度和掺质浓度的至少一个沿所述第二方向呈线性递减，和其中所述多个第二导电类型掺杂次区各自沿所述第一方向的深度、沿所述第二方向的宽度和掺质浓度的至少一个沿所述第二方向呈线性递减；

所述基板结构包括：

一高电位区；

一低电位区，其与所述高电位区彼此隔开；以及

一电位转换区和一隔离区，设置于所述高电位区与所述低电位区之间，其中所述隔离区将所述电位转换区与所述高电位区彼此隔开；

其中所述超接面掺杂结构位于所述隔离区中；

所述第二方向为从接近超接面掺杂结构的中心区域至接近超接面掺杂结构的外围区域。