[发明专利]一种白光LED芯片的切割清洗方法

说明书

本发明公开了一种白光LED芯片的切割清洗方法，该方法包含以下过程：刀片切割白光LED芯片，其中，白光LED芯片包含蓝光LED基片和荧光层，荧光层位于蓝光LED基片的表面；切割产生的碎屑掉落在白光LED芯片的凹坑，凹坑形成在蓝光LED基片的表面；将切割清洗剂中添加悬浮液形成切割清洗液，并用该切割清洗液清洗白光LED芯片，使掉落在凹坑中的碎屑进行悬浮；切割完成后将悬浮的碎屑进行清洗，带走凹坑的碎屑。本发明可以将切割过程产生的硅碎屑悬浮，避免硅碎屑沉淀在电极上方凹坑内，从而改善因凹坑底端存在大量硅碎屑造成客户焊线时极易发生焊线不良的问题。

技术领域

本发明涉及刀片切割工艺领域，特别涉及一种白光LED芯片的切割清洗方法。

背景技术

发光二极管(LED)是响应电流而被激发从而产生各种颜色的光的半导体器件。这种LED与荧光灯等传统发光器件相比具有诸多优点，诸如更长的使用寿命、更低的驱动电压、更高的耐反复电源切换能力等。因此，市场对这种LED的需求正逐渐增长。

由于LED发光只限于红、蓝、黄以及绿等基本颜色。所以，白光LED通常采用两种方法形成，第一种是利用“蓝光技术”与荧光粉配合形成白光，例如，蓝光LED芯片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合可得到白光，即可通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，获得各色白光。第二种是多种单色光混合方法。例如白光LED发光装置包含有三个分别发射红光、绿光、蓝光的发光芯片、散热基座以及封装体。三个发光芯片分别发出的红光、绿光及蓝光在封装体内混合后即可发出白光。这两种方法都已能成功产生白光器件。

在常见的LED的刀片切割工艺中，机台端冷却水一般会加以一定比例的水溶性切割清洗剂，其主要成分为表面活性剂。切割过程中产生的硅碎屑等不会粘附在芯片表面，切割完成后通过冲水等简单流程就可完成芯片表面清洁。

如图1所示，由于白光LED芯片产品101因在蓝光LED芯片1上涂有约30um后的荧光层2，电极上方会形成深度30um左右、直径60um的凹坑3，如图1所示，白光LED产品在切割过程中的硅碎屑A极易堆积在电极上方的凹坑3内，常规工艺作业后在凹坑底端仍有大量硅碎屑无法冲掉，客户焊线时极易发生焊线不良。

发明内容

本发明的目的是提供一种白光LED芯片的切割清洗方法，通过将白光LED芯片产品的切割清洗剂增加一定比例的悬浮液，使得切割过程产生的硅碎屑悬浮，可避免硅碎屑沉淀在电极上方凹坑内，可改善由于凹坑底端存在大量硅碎屑造成客户焊线时极易发生焊线不良的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种白光LED芯片的切割清洗方法，该方法包含以下过程：

刀片切割白光LED芯片；其中，所述白光LED芯片包含蓝光LED基片和荧光层；所述荧光层位于所述蓝光LED基片的表面；

切割产生的碎屑掉落在所述白光LED芯片的凹坑；其中，所述凹坑形成在所述蓝光LED基片的表面；

将切割清洗剂中添加悬浮液形成切割清洗液，并将该切割清洗液清洗所述白光LED芯片，使掉落在所述凹坑中的碎屑进行悬浮；

切割完成后将悬浮的碎屑进行清洗，带走所述凹坑中的碎屑。

优选地，所述切割清洗液包含清洗剂、悬浮液和表面活性剂。

优选地，所述清洗剂包含水。

优选地，所述悬浮液与碎屑的材料或数量相匹配。

优选地，所述凹坑形成在所述蓝光LED基片表面的电极上方的两端；所述凹坑的深度为30um，直径为60um。

优选地，所述蓝光LED基片采用氮化镓材料，所述氮化镓材料包含有P型掺杂层、量子阱有源层以及N型掺杂层。