[发明专利]一种白光LED芯片的切割清洗方法在审
| 申请号： | 201711462972.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108346557A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 封波涛;陈党盛;王亚洲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之;周乃鑫 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 白光LED芯片 碎屑 切割 凹坑 清洗 蓝光LED 悬浮 清洗液 荧光层 掉落 焊线 清洗剂 凹坑形成 刀片切割 切割过程 悬浮液 电极 底端 沉淀 并用 客户 | ||
1.一种白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，该方法包含以下过程：
刀片切割白光LED芯片(101)；其中，所述白光LED芯片(101)包含蓝光LED基片(1)和荧光层(2)；所述荧光层(2)位于所述蓝光LED基片(1)的表面；
切割产生的碎屑掉落在所述白光LED芯片(101)的凹坑(3)；其中，所述凹坑(3)形成在所述蓝光LED基片(1)的表面；
将切割清洗剂中添加悬浮液形成切割清洗液，并将该切割清洗液清洗所述白光LED芯片(101)，使掉落在所述凹坑(3)中的碎屑进行悬浮；
切割完成后将悬浮的碎屑进行清洗，带走所述凹坑(3)中的碎屑。
2.如权利要求1所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述切割清洗液包含清洗剂、悬浮液和表面活性剂。
3.如权利要求1或2所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述清洗剂包含水。
4.如权利要求1或2所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述悬浮液与碎屑的材料或数量相匹配。
5.如权利要求1所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述凹坑(3)形成在所述蓝光LED基片(1)表面的电极上方的两端；
所述凹坑(3)的深度为30um，直径为60um。
6.如权利要求1或5所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述蓝光LED基片(1)采用氮化镓材料，所述氮化镓材料包含有P型掺杂层、量子阱有源层以及N型掺杂层。
7.如权利要求1所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述荧光层(2)包含荧光粉和硅胶，所述硅胶将所述荧光粉粘在所述荧光层(2)的表面。
8.如权利要求1或7所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述荧光层(2)的厚度为30um。
9.如权利要求1或7所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
所述荧光层(2)的荧光粉包含YAG荧光粉。
10.如权利要求1所述的白光LED芯片的切割清洗方法，其特征在于，
掉落在所述凹坑(3)中的所述碎屑包含硅碎屑。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技（上海）有限公司，未经映瑞光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711462972.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单片集成半导体结构
- 下一篇：基材加热装置及方法以及电子设备的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
