[发明专利]有机发光二极管显示面板有效
申请号: | 201711462637.2 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108183125B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 李鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 | ||
本发明公布了一种有机发光二极管显示面板,包括:薄膜晶体管;金属层,位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上,所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分,所述第一金属部分用于传输直流信号,所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容,所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面,所述第一侧面上设有第一缺口,所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口。第一缺口增大了第一金属部分与第二金属部分之间的距离,第一缺口仅部分减小了第一金属部分的尺寸,避免第一金属部分整体较窄而容易断裂,降低了第一金属部分和第二金属部分容易发生短路或断路的可能。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其是涉及一种有机发光二极管显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色来实现显示的二极管。OLED显示装置的基本结构通常包括空穴传输层、发光层与电子传输层。当电源供应适当电压时,阳极的空穴与阴极的电子会在发光层中结合,产生亮光。相比于薄膜场效应晶体管液晶显示器,OLED显示装置具有高可视度和高亮度的特点,并且更省电、重量轻、厚度薄,因此,OLED显示装置被视为21世纪最具前途的产品之一。
现有技术中,在栅极绝缘层上会沉积第二金属层,曝光并蚀刻第二金属层后形成两个相互分隔的金属部分分别用于传输不同的电信号,例如栅极复位信号和像素正电源信号等。伴随着消费者对有机发光二极管显示面板的清晰度要求不断提高,高密度像素设计使有机发光二极管显示面板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的密度越来越高,曝光并蚀刻第二金属层后形成的两个金属部分的尺寸及间距越来越小,增大了制造难度,且容易发生短路或断路等缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管显示面板,用以解决现有技术中高密度像素设计的有机发光二极管显示面板内部发生短路或断路的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种有机发光二极管显示面板,包括:
薄膜晶体管;
金属层,位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上,所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分,所述第一金属部分用于传输直流信号,所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容,
所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面,所述第一侧面上设有第一缺口,所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口。
一种实施方式中,所述第二金属部分包括面对所述第一金属部分的第二侧面,及连接于所述第一侧面的相对的两侧的第三侧面和第四侧面,所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离大于1μm,所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离大于1μm。
一种实施方式中,所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离等于所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离。
一种实施方式中,所述第一缺口的深度为0.1μm至0.3μm。
一种实施方式中,所述第二侧面上设有第二缺口,所述第一金属部分在所述第二侧面上的垂直投影覆盖所述第二缺口。
一种实施方式中,所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离大于1μm,所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离大于1μm。
一种实施方式中,所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离等于所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离。
一种实施方式中,所述第二缺口在所述第一侧面上的垂直投影与所述第一缺口重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的