[发明专利]有机发光二极管显示面板有效
申请号: | 201711462637.2 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108183125B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 李鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 | ||
1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,包括:
薄膜晶体管;
金属层,位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上,所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分,所述第一金属部分用于传输直流信号,所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容,
所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面,所述第一侧面上设有第一缺口,所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口;
所述第二金属部分包括面对所述第一金属部分的第二侧面,及连接于所述第一侧面的相对的两侧的第三侧面和第四侧面,所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离大于1μm,所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离大于1μm。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离等于所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口的深度为0.1μm至0.3μm。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二侧面上设有第二缺口,所述第一金属部分在所述第二侧面上的垂直投影覆盖所述第二缺口。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离大于1μm,所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离大于1μm。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离等于所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离。
7.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二缺口在所述第一侧面上的垂直投影与所述第一缺口重合。
8.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口的深度与所述第二缺口的深度之和为0.1μm至0.3μm。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口的深度与所述第二缺口的深度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的