[发明专利]有机发光二极管显示面板有效

专利信息
申请号: 201711462637.2 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108183125B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 李鹏 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L29/786
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,包括:

薄膜晶体管;

金属层,位于所述薄膜晶体管的栅极绝缘层上,所述金属层包括相互分隔的第一金属部分和第二金属部分,所述第一金属部分用于传输直流信号,所述第二金属部分正对所述薄膜晶体管的栅极并形成存储电容,

所述第一金属部分包括面对所述第二金属部分的第一侧面,所述第一侧面上设有第一缺口,所述第二金属部分在所述第一侧面上的垂直投影覆盖所述第一缺口;

所述第二金属部分包括面对所述第一金属部分的第二侧面,及连接于所述第一侧面的相对的两侧的第三侧面和第四侧面,所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离大于1μm,所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离大于1μm。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口在所述第二侧面上的垂直投影与所述第三侧面的最小距离等于所述第一缺口在所述第二侧面的垂直投影与所述第四侧面的最小距离。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口的深度为0.1μm至0.3μm。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二侧面上设有第二缺口,所述第一金属部分在所述第二侧面上的垂直投影覆盖所述第二缺口。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离大于1μm,所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离大于1μm。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二缺口与所述第三侧面的最小距离等于所述第二缺口与所述第四侧面的最小距离。

7.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二缺口在所述第一侧面上的垂直投影与所述第一缺口重合。

8.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口的深度与所述第二缺口的深度之和为0.1μm至0.3μm。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一缺口的深度与所述第二缺口的深度相同。

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