[发明专利]一种阵列基板的制作方法及阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201711462028.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183108A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 罗浩;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦化层 阵列基板 漏极 源极 灰化处理 钝化层 还原剂 孔图案 制作 薄膜晶体管 不良问题 曝光处理 色彩显示 显示装置 阳极电极 孔对齐 搭接 电阻 功耗 基板 显影 发热 氧气 屏幕 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；
在源极和漏极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成与所述源极和所述漏极对应的第一过孔；
在所述钝化层上形成平坦化层；
对所述平坦化层进行显影曝光处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案；
采用氧气对所述平坦化层进行灰化处理，在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔对齐；
采用还原剂对所述平坦化层进行二次灰化处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原剂包括氢气。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氢气的温度为90℃。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化层的材质为有机绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化层的厚度为1.8μm～3.2μm。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述平坦化层进行显影曝光显影处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案之后，还包括如下步骤：
在250℃～350℃温度范围内，对所述平坦化层进行高温静置。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源极和所述漏极均包括相互叠置的钛层、铝层以及钼层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源极和所述漏极均包括相互叠置的钛层、铝层以及铬层。
9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1至8中任一项所述阵列基板的制作方法制作得到。
10.一种显示装置，其特征在于，包括有机电致发光器件以及权利要求9所述阵列基板，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及发光层，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，所述有机电致发光器件的阳极与所述阵列基板的源/漏极连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
