[发明专利]半导体元件的密孔图案形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，包含：

在设置于基材上的至少一个下硬遮罩层上形成多个第一柱体；

在所述下硬遮罩层上毯覆式地沉积间隔层以形成以密堆积方式排列的多个第二柱体分别覆盖所述多个第一柱体，直至所述多个第二柱体接触而形成多个第一孔洞于所述多个第二柱体之间，第一孔洞的每一个是形成于第二柱体中的三个相邻者之间；

蚀刻所述间隔层以经由所述多个第一孔洞暴露出所述下硬遮罩层的第一部位，以及暴露出所述多个第一柱体的顶面；

移除所述多个第一柱体以形成多个第二孔洞于所述间隔层，进而暴露出所述下硬遮罩层的第二部位；

蚀刻所述下硬遮罩层的所述多个第一部位与所述多个第二部位；以及

移除所述间隔层的残留部位。

2.如权利要求1所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，所述形成所述多个第一柱体包含：

在所述下硬遮罩层上形成上硬遮罩层；

在所述上硬遮罩层上形成多个点状物；

蚀刻所述上硬遮罩层由所述多个点状物所暴露出的暴露部位，其中所述上硬遮罩层的残留部位作为所述多个第一柱体；以及

移除所述多个点状物。

3.如权利要求2所述的半导体元件的密孔图案形成方法，进一步包含：

在所述蚀刻所述上硬遮罩层的所述暴露部位之前修整所述多个点状物。

4.如权利要求1所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，所述形成所述多个第一柱体包含：

基于由第一维度以及第二维度所构成的第一阵列形成所述多个第一柱体。

5.如权利要求4所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，所述形成所述多个第一柱体进一步包含：

基于所述第一阵列等距地形成所述多个第一柱体。

6.如权利要求5所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，形成于所述第一维度与所述第二维度之间的角度为60度。

7.如权利要求4所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，所述多个第一孔洞与所述多个第二孔洞是基于由第三维度以及第四维度所构成的第二阵列排列。

8.如权利要求7所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，在所述第三维度与所述第四维度中的一个中，所述多个第一孔洞中的两个相邻者是排列于所述多个第二孔洞中的两对应者之间。

9.如权利要求7所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，形成于所述第三维度与所述第四维度之间的角度为60度。

10.如权利要求9所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，形成于所述第一维度与所述第三维度及所述第四维度中的至少一个之间的角度为30度。

11.如权利要求1所述的半导体元件的密孔图案形成方法，其特征在于，所述蚀刻所述下硬遮罩层的所述多个第一部位与所述多个第二部位包含蚀刻所述下硬遮罩层至少直到所述基材的部位被暴露出。