[发明专利]包括具有可调反向偏压的MOS开关的输出驱动器有效

专利信息
申请号: 201711458918.0 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108259028B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: D·R·延森;P·阿斯贝克 申请(专利权)人: 大北欧听力公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 顾小曼
地址: 丹麦,*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 具有 可调 反向 偏压 mos 开关 输出 驱动器
【权利要求书】:

1.一种听力设备,包括:

控制和处理电路,包括:

第一音频输入通道,用于接收第一音频信号;

信号处理器,用于接收并处理所述第一音频信号,以用于根据使用者的听力损失来生成补偿麦克风信号;

D类输出放大器,用于接收所述补偿麦克风信号并生成经放大或缓冲的输出信号,以用于施加至所述听力设备的微型接收器或扬声器(10);其中,

所述D类输出放大器包括用于驱动音频变换器的集成电路输出驱动器(1);所述集成电路输出驱动器(1)包括:

正电源电压轨(Vdd)和负电源电压轨(GND);

第一半桥驱动器(6),包括第一PMOS晶体管(16)和第一NMOS晶体管(18),所述第一PMOS晶体管(16)和所述第一NMOS晶体管(18)串联连接在所述正电源电压轨和所述负电源电压轨之间,以在所述第一PMOS晶体管(16)和所述第一NMOS晶体管(18)的互连漏极端子处形成第一驱动器输出端(20);

第一衬底端子,连接至所述第一PMOS晶体管(16)的衬底,用于接收第一反向偏置电压(5);

第二衬底端子,连接至所述第一NMOS晶体管(18)的衬底,用于接收第二反向偏置电压(3);

偏置电压发生器(4),配置为调整所述第一反向偏置电压(5)和所述第二反向偏置电压(3)中的至少一个,以控制所述第一PMOS晶体管(16)和所述第一NMOS晶体管(18)中的至少一个的导通电阻。

2.根据权利要求1所述的听力设备,其中,所述集成电路输出驱动器(1)的所述偏置电压发生器(4)配置为在多个固定偏置电压电平之间调整所述第一反向偏置电压(5)和所述第二反向偏置电压(3)中的至少一个。

3.根据权利要求2所述的听力设备,其中,所述多个固定偏置电压电平至少包括:

第一电压电平,等于所述正电源电压轨的DC电压,和

第二电压电平,小于所述正电源电压轨的DC电压;或

第一电压电平,等于所述负电源电压轨的DC电压,和

第二电压电平,处于超过所述负电源电压轨的DC电压的固定电压。

4.根据权利要求3所述的听力设备,其中,所述多个固定偏置电压电平中的最大电平和最小电平之间的电压差大于100mV。

5.根据权利要求3所述的听力设备,其中,所述多个固定偏置电压电平中的最大电平和最小电平之间的电压差大于200mV。

6.根据权利要求1所述的听力设备,其中,所述偏置电压发生器(4)配置为在偏置电压上限和偏置电压下限之间连续地调整所述第一反向偏置电压(5)和所述第二反向偏置电压(3)中的至少一个。

7.根据权利要求6所述的听力设备,其中所述集成电路输出驱动器(1)包括控制器,所述控制器配置为:

确定或测量传输至负载的电流或功率;并且

控制所述偏置电压发生器(4),以基于所确定的或测量的负载电流或负载功率来适应性地调整所述第一反向偏置电压(5)和所述第二反向偏置电压(3)中的至少一个。

8.根据权利要求7所述的听力设备,其中,所述偏置电压发生器(4)配置为:

减小所述第一PMOS晶体管(16)的第一反向偏置电压(5),以用于增大负载电流或负载功率;和/或

增大所述第一NMOS晶体管(18)的第二反向偏置电压(3),以用于增大负载电流或负载功率。

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