[发明专利]一种基于铯铅卤钙钛矿薄膜材料的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)在基底表面依次复合负极以及电子传输层，得到电子传输层/负极/基底复合层；所述电子传输层选自氧化锌层；

b)将含有相同卤族元素的卤化铯与卤化铅混合后研磨，得到混合粉末；

所述卤化铯选自氯化铯、溴化铯或碘化铯；所述卤化铅选自氯化铅、溴化铅或碘化铅；

所述卤化铯与卤化铅的摩尔比为(2～3)：1；

将所述混合粉末置于CVD管式炉中，通入载气，以电子传输层/负极/基底复合层作为衬底，放置于所述载气的下游方向，在100～200Pa的条件下，以10～30℃/min的速度将所述管式炉的炉腔内温度升至500～700℃，保持5～30min后，降温，在所述衬底的电子传输层表面生长有铯铅卤钙钛矿薄膜材料，得到铯铅卤钙钛矿薄膜/电子传输层/负极/基底复合层，所述铯铅卤钙钛矿薄膜材料的厚度为1～10微米；

所述载气选自高纯氩气，所述载气流量为250～300sccm；

c)在所述铯铅卤钙钛矿薄膜/电子传输层/负极/基底复合层的铯铅卤钙钛矿薄膜的表面依次复合空穴传输层以及正极，得到发光二极管。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述卤化铯与卤化铅的摩尔比为(1～5)：1。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中，所述基底选自玻璃，所述负极选自ITO。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中，所述空穴传输层选自4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯层，所述正极选自金。

5.一种权利要求1～4任意一项所述的制备方法制备得到的发光二极管，其特征在于，包括：

基底；

复合于所述基底表面的负极；

复合于所述负极表面的电子传输层；

复合于所述电子传输层表面的铯铅卤钙钛矿薄膜，所述铯铅卤钙钛矿薄膜采用化学气相沉积法制备而成；

复合于所述铯铅卤钙钛矿薄膜表面的空穴传输层；

复合于所述空穴传输层表面的正极。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管的开启电压为4V，其发光波长分别位于400nm，510nm及690nm。