[发明专利]晶片的清洗方法

说明书

本发明提供晶片的清洗方法，其能够抑制晶片上形成由臭氧水引起的高低差缺陷。本发明是在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法，其特征在于，向前述晶片表面上，开始氢氟酸的供给，在停止前述氢氟酸的供给之前或者在停止的同时，开始纯水的供给，在停止前述氢氟酸的供给以后且停止前述纯水的供给之前，开始臭氧水的供给，设置向前述晶片表面上同时供给纯水和臭氧水的期间，其后停止前述纯水的供给，向前述晶片表面上仅供给臭氧水。

技术领域

本发明涉及晶片的清洗方法，特别涉及使用臭氧水、氢氟酸和纯水的晶片的单片式清洗方法。

背景技术

以往，硅晶片等半导体晶片的清洗步骤中，通常使用臭氧水、氢氟酸，提出了例如反复进行臭氧水清洗和氢氟酸清洗来进行清洗从而去除颗粒的方法。这样的方法中，通过臭氧水清洗而在晶片表面上形成氧化膜，接着，通过氢氟酸清洗将氧化膜与晶片表面的颗粒等一同去除。

但是，这样的方法中，在切换清洗液时，在晶片表面上臭氧水和氢氟酸共存，在晶片表面上同时发生通过臭氧水进行的氧化膜形成和通过氢氟酸进行的氧化膜去除(蚀刻)，由此存在表面粗糙度恶化的问题。

此外，如果通过氢氟酸来去除氧化膜，则露出晶片裸面，但颗粒非常容易附着于该晶片裸面。因此，通过氢氟酸去除氧化膜后，再次使用臭氧水进行清洗时，在晶片外周部臭氧水因晶片裸面的拒水性而被弹开，臭氧水不会顺利地遍布，其结果是，存在在晶片外周部残留颗粒的问题。

作为解决这些问题的技术，专利文献1中记载了晶片的清洗方法，在包括使用臭氧水的清洗步骤、和使用氢氟酸的清洗步骤的晶片的清洗方法中，通过在前述使用臭氧水的清洗步骤与前述使用氢氟酸的清洗步骤之间具有使用纯水的旋转清洗步骤，从而按照(1)使用臭氧水的清洗步骤、(2)使用纯水的旋转清洗步骤、(3)使用氢氟酸的清洗步骤的顺序进行清洗，或者按照(1)使用氢氟酸的清洗步骤、(2)使用纯水的旋转清洗步骤、(3)使用臭氧水的清洗步骤的顺序进行清洗，其特征在于，前述使用纯水的旋转清洗步骤中的纯水流量为1.2L/分钟以上，晶片的转速为1,000rpm以上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-220284号公报。

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1中记载的技术中，通过避免臭氧水与氢氟酸的共存来抑制清洗后的晶片的表面粗糙度的恶化，此外，通过以特定的纯水流量和晶片转速进行纯水旋转清洗，从而使纯水遍布至晶片外周部，改善了清洗后的晶片外周部处的颗粒残留。

然而，本发明人等意识到：在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法(以下也简称为“旋转清洗”)中，在如以往那样的反复进行臭氧水清洗和氢氟酸清洗的方法、如专利文献1那样地在臭氧水清洗与氢氟酸清洗之间进行纯水清洗的方法的情况下，在减少其后的晶片检查步骤中的LPD(亮点缺陷：Light point defect)方面存在极限。在专利文献1的技术中，由于应该能够减少由颗粒引起的LPD，因此可以认为存在由除颗粒之外的某种缺陷引起的LPD。