[发明专利]晶片的清洗方法在审
| 申请号： | 201711445707.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242389A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 若杉胜郎;小渊俊也;兼子优起 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 臭氧水 晶片表面 氢氟酸 清洗 晶片旋转 高低差 清洗液 | ||
【权利要求书】：
1.晶片的清洗方法，其是在使晶片旋转的同时向该晶片的表面上供给清洗液的晶片的清洗方法，其特征在于，
向所述晶片表面上，开始氢氟酸的供给，
在停止所述氢氟酸的供给之前或者在停止的同时，开始纯水的供给，
在停止所述氢氟酸的供给以后且停止所述纯水的供给之前，开始臭氧水的供给，设置向所述晶片表面上同时供给纯水和臭氧水的期间，
其后停止所述纯水的供给，向所述晶片表面上仅供给臭氧水。
2.根据权利要求1所述的晶片的清洗方法，其中，在所述晶片表面上，在停止所述氢氟酸的供给之前开始所述纯水的供给，设置同时供给氢氟酸和纯水的期间。
3.根据权利要求2所述的晶片的清洗方法，其中，在所述晶片表面上，在停止所述氢氟酸的供给之后开始所述臭氧水的供给，设置仅供给纯水的期间。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的晶片的清洗方法，其中，从第一喷嘴喷出所述氢氟酸，从与所述第一喷嘴不同的共通喷嘴喷出所述纯水和所述臭氧水。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的晶片的清洗方法，其中，分别从各自的喷嘴喷出所述氢氟酸、所述纯水和所述臭氧水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711445707.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置
- 下一篇：基板处理方法和基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
