[发明专利]MEMS声学传感器的噪音抑制方法有效

专利信息
申请号: 201711432431.5 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108337616B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 端木鲁玉;徐香菊;王德信 申请(专利权)人: 潍坊歌尔微电子有限公司
主分类号: H04R19/00 分类号: H04R19/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 袁文婷;张宁
地址: 261031 山东省潍坊市高新区新城*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: mems 声学 传感器 噪音 抑制 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法,包括:

MEMS声学传感器对声学MEMS芯片上电;

通过设置在所述MEMS声学传感器的封装结构内的感应口,检测所述声学MEMS芯片是否处于工作状态;其中,

当所述感应口检测到所述声学MEMS芯片处于非工作状态时,设置在第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式;

当所述感应口检测到所述声学MEMS芯片处于工作状态时,所述发热功率模块由间歇性工作模式转换为持续性工作模式。

2.如权利要求1所述的MEMS声学传感器的噪音抑制方法,其中,

所述封装结构由外壳和PCB板形成,其中,所述声学MEMS芯片、所述第二ASIC芯片设置在所述封装结构内部,并且,在所述封装结构内部还设置有第一ASIC芯片和第二MEMS芯片。

3.如权利要求2所述的MEMS声学传感器的噪音抑制方法,其中,

所述感应口设置在所述第一ASIC芯片与所述第二ASIC芯片之间。

4.如权利要求2所述的MEMS声学传感器的噪音抑制方法,其中,

在所述PCB板上设置有使所述声学MEMS芯片与外部连通的声孔。

5.如权利要求2所述的MEMS声学传感器的噪音抑制方法,其中,

所述第一ASIC芯片通过金属线分别与所述声学MEMS芯片、所述第二ASIC芯片、所述PCB板电连接。

6.如权利要求2所述的MEMS声学传感器的噪音抑制方法,其中,

所述声学MEMS芯片、所述第二MEMS芯片、所述第一ASIC芯片以及所述第二ASIC芯片均通过粘片胶固定在所述PCB板上。

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