[发明专利]包括一个或多个逻辑电路区域的可调反向偏压的集成电路有效

专利信息
申请号: 201711431161.6 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108242924B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: D·R·延森;P·阿斯贝克;F·哈斯巴尼 申请(专利权)人: 大北欧听力公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 顾小曼
地址: 丹麦,*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 一个 逻辑电路 区域 可调 反向 偏压 集成电路
【权利要求书】:

1.一种听力设备,包括集成半导体电路(100),其中所述集成半导体电路(100)包括:

-控制和处理电路,包括:用于接收第一音频信号的第一音频输入通道,

-信号处理器,用于接收并处理所述第一音频信号,以根据用户的听力损失生成补偿的麦克风信号;

-输出放大器,用于接收所述补偿的麦克风信号,并生成放大或缓冲的输出信号,以应用于听力设备的微型接收器或扬声器;

其特征在于,所述集成半导体电路(100)还包括:

-时钟信号栅格(102),用于将时钟信号(Clk)分配至一个或多个逻辑电路区域;

-第一逻辑电路区域,由正DC电源电压(VDD)和负DC电源电压(VCC)供电;

-所述第一逻辑电路区域包括:

-第一区域时钟网络,用于将第一区域时钟信号(R-Clk)供应至所述第一逻辑电路区域的一个或多个数字逻辑电路;

-时钟门控电路(110),配置为根据所述时钟信号(Clk)导出所述第一区域时钟信号(R-Clk),并且根据所述第一逻辑电路区域的状态选择信号(En)来选择性地施加和中断所述第一区域时钟信号(R-Clk),

-第一反向偏置电压栅格和第二反向偏置电压栅格,所述第一反向偏置电压栅格连接至所述一个或多个数字逻辑电路的PMOS晶体管的相应主体,并且所述第二反向偏置电压栅格连接至所述一个或多个数字逻辑电路的NMOS晶体管的相应主体,

-可控反向偏置电压发生器(120),配置为:

-根据所述状态选择信号(En),在第一电平和第二电平之间调节所述第一反向偏置电压栅格的第一反向偏置电压(VBP);并且

-根据所述状态选择信号(En),在第一电平和第二电平之间调节所述第二反向偏置电压栅格的第二反向偏置电压(VBN)。

2.根据权利要求1所述的听力设备,其中,所述集成半导体电路(100)的所述一个或多个数字逻辑电路包括连接至所述第一区域时钟网络的诸如触发器的至少一个时序逻辑电路,用于接收所述第一区域时钟信号(R-Clk)。

3.根据权利要求1或2所述的听力设备,其中,所述集成半导体电路(100)的所述状态选择信号(En)配置为在所述第一区域时钟信号(R-Clk)活动的活动状态和所述第一区域时钟信号(R-Clk)中断或未接通的非活动状态之间切换所述第一逻辑电路区域。

4.根据权利要求3所述的听力设备,其中,所述集成半导体电路(100)的所述可控反向偏置电压发生器(120)配置为:

在所述活动状态下,将所述第一反向偏置电压栅格的偏置电压(VBP)调节至所述正DC电源电压(VDD),并且将所述第二反向偏置电压栅格的偏置电压(VBN)调节至所述负DC电源电压(VCC);并且

在所述非活动状态下,将所述第一反向偏置电压栅格的偏置电压调节至高于所述正DC电源电压(VDD)的电压,并且将所述第二反向偏置电压栅格的偏置电压调节至低于所述负DC电源电压(VCC)的电压。

5.根据前述权利要求中任一项所述的听力设备,其中,所述集成半导体电路(100)的所述可控反向偏置电压发生器配置为:

将所述第一反向偏置电压栅格的第一电平和第二电平之间的电压差设定为大于100mV;并且

将所述第二反向偏置电压栅格的第一电平和第二电平之间的电压差设定为大于100mV。

6.根据权利要求5所述的听力设备,其中,将所述第一反向偏置电压栅格的第一电平和第二电平之间的电压差设定为至少200mV。

7.根据权利要求5所述的听力设备,其中,将所述第二反向偏置电压栅格的第一电平和第二电平之间的电压差设定为至少200mV。

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