[发明专利]漏电流补偿电路和半导体装置有效
| 申请号： | 201711429578.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108376013B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 椎根雄寿;中村博高 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏电 补偿 电路 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种漏电流补偿电路，其对MOS晶体管的漏电流进行补偿，该MOS晶体管构成将电流源的电流输出到输出端子的输出电路，其特征在于，该漏电流补偿电路具有：
补偿MOS晶体管，其漏极与源极连接，衬底与接地端子连接，生成与所述漏电流相等的补偿电流；以及
电流镜电路，其输入端子连接于所述补偿MOS晶体管的所述漏极和所述源极，输出端子与构成所述输出电路的MOS晶体管连接。
2.根据权利要求1所述的漏电流补偿电路，其特征在于，
所述补偿MOS晶体管的栅极与接地端子连接，所述补偿MOS晶体管利用漏极-衬底间的寄生二极管的漏电流和源极-衬底间的寄生二极管的漏电流，生成与构成所述输出电路的MOS晶体管的漏极-衬底间的寄生二极管的反向漏电流相等的补偿电流。
3.根据权利要求1所述的漏电流补偿电路，其特征在于，
所述补偿MOS晶体管的栅极连接于所述漏极和所述源极，所述补偿MOS晶体管利用所述栅极的漏电流，生成与构成所述输出电路的MOS晶体管的栅极漏电流相等的补偿电流。
4.一种半导体装置，该半导体装置具有权利要求1至3中的任一项所述的漏电流补偿电路。
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