[发明专利]控制系统、方法及晶圆清洗装置

说明书

本发明提供了一种控制系统、方法及晶圆清洗装置，涉及晶圆清洗技术领域，该控制系统包括：感测设备、调节设备和控制器，所述控制器分别与所述感测设备和所述调节设备通信连接，其中，感测设备安装在被控清洗槽上，用于感测目标工艺的参数信号，其中，目标工艺为被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺；控制器用于接收感测设备感测的参数信号，并根据参数信号生成调节信号；调节设备安装在被控清洗槽上，用于接收控制器生成的调节信号，并根据调节信号对目标工艺进行调节。本发明缓解了传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效果较低的技术问题。

技术领域

本发明涉及晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种控制系统、方法及晶圆清洗装置。

背景技术

晶圆的洁净性是芯片生产全过程中的基本要求。一般来说，经化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)后的晶圆，抛光液的磨料和晶圆被去除的废料是晶圆的主要污染物，CMP后清洗的重点就是去除这些污染物，以确保晶圆的洁净性。

目前，市场上用来实施CMP后清洗过程以对晶圆进行清洗的装置很多，多包括一个清洗槽，清洗槽包括内槽和外槽，内槽用于放置晶圆，内槽和外槽之间循环流动具有一定配比和温度的清洗液，实现对晶圆的清洗。这种传统的晶圆清洗装置存在不足，突出表现为：一，需清洗人员进入操作室甚至抵进清洗装置来控制晶圆的清洗过程，从而给晶圆带来除磨料和废料以外的污染物，造成晶圆的二次污染，清洗效果较差；二，需在装置停止工作的状态下更换清洗液的配方或更改CMP后清洗工艺参数，无法满足后清洗的自动化要求，清洗效率较低。

针对传统晶圆清洗装置存在的清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题，现有技术中缺乏有效的解决方案。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种控制系统、方法及晶圆清洗装置，以缓解传统晶圆清洗装置清洗效果较差和清洗效率较低的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种控制系统，包括：感测设备、调节设备和控制器，所述控制器分别与所述感测设备和所述调节设备通信连接，其中，

所述感测设备安装在被控清洗槽上，用于感测目标工艺的参数信号，其中，所述目标工艺为所述被控清洗槽实施晶圆清洗的工艺；

所述控制器用于接收所述感测设备感测的所述参数信号，并根据所述参数信号生成调节信号；

所述调节设备安装在所述被控清洗槽上，用于接收所述控制器生成的所述调节信号，并根据所述调节信号对所述目标工艺进行调节。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述感测设备包括液位传感器，其中，

所述液位传感器安装在所述被控清洗槽的槽内，用于感测液位信号，其中，所述液位信号携带有所述被控清洗槽所装液体的液位信息；

所述控制器用于接收所述液位传感器感测的所述液位信号，并根据所述液位信号生成第一调节信号；

所述调节设备包括第一控制阀，所述第一控制阀设置在所述被控清洗槽的目标管道上，用于接收所述第一调节信号，并根据所述第一调节信号调节阀门的开闭，以对所述被控清洗槽所装液体的液位进行调节，其中，所述目标管道为所述被控清洗槽的补液管道，和/或，所述被控清洗槽的漏液管道。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述感测设备包括流量传感器，其中，

所述流量传感器安装在所述被控清洗槽的目标管道上，所述流量传感器用于感测流量信号，其中，所述流量信号携带有所述目标管道内所流液体的流量信息；

所述控制器还用于接收所述流量传感器感测到的所述流量信号，并根据流量信号生成第二调节信号；