[发明专利]一种半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201711421293.0 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109962039B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 崔登峰;宋春;仇峰;曾红林;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H04M1/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的芯片；
围绕所述芯片的密封环；
位于所述芯片与所述密封环之间的隔离区，所述隔离区的层间介电层中形成有图案为回形纹的阻挡结构，所述阻挡结构首尾相连，从而形成连续的回形纹组成的环状结构。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡结构包括平行于所述半导体衬底的若干金属布线层，以及连接相邻的所述金属布线层的导电通孔。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡结构还包括位于所述半导体衬底中的有源区、以及在所述有源区上由下至上依次层叠的栅极材料层、和/或金属硅化物阻挡层、和/或接触孔。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡结构还包括位于所述金属布线层上方的钝化层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离区的宽度为5微米-10微米。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述密封环的宽度为5微米-10微米。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述密封环包括内层密封环和外层密封环。
8.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-7之一所述的半导体器件。
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