[发明专利]硅锭在审
| 申请号： | 201711383841.5 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108221049A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·克劳斯;丹尼尔·奥利沃;弗兰西丝卡·沃妮;梅勒妮·亨特斯彻 | 申请（专利权）人： | 太阳世界工业有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/04;H01L31/18;H01L31/028;H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂物 硅熔体 定向凝固 硅锭 晶锭 生产 | ||
1.一种用于生产晶锭的方法，其包括以下步骤：
1.1、提供带有掺杂物的硅熔体(29)；
1.2、使所述硅熔体(29)定向凝固；
1.3、其中所述掺杂物具有比硅更大的原子半径。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，掺杂物选自以下物质：Ga、Ge、As、In、C、Sn和Sb、以及上述这些物质的组合或者上述这些物质的化合物。
3.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，将高掺杂的硅形式的所述掺杂物以1024m-3至1026m-3范围内的掺杂物浓度添加到所述硅熔体(29)中。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，使所述硅熔体(29)从一个或多个晶芽预设点(30)出发以定向的方式凝固。
5.一种具有晶体结构的硅锭(1)，
5.1、其中，在所述晶体结构中装入有原子半径为至少110pm的杂质原子，
5.2、其中，所述杂质原子具有1021m-3至1024m-3范围内的密度，
5.3、其中，所述晶体结构主要是单晶的。
6.根据权利要求5所述的硅锭(1)，其特征在于，底部区域由一个或多个单晶的晶芽预设点(30)形成。
7.一种晶圆，其由根据权利要求5至6之一所述的晶锭生产而成。
8.一种用于生产晶圆的方法，其包括以下步骤：
13.1、生产根据权利要求1至4之一所述的晶锭，
13.2、使所述晶锭(1)沿着预先给定的取向对准，
13.3、沿着预先给定的方向将所述晶锭(1)分割成晶圆。
9.一种太阳能电池，其由根据权利要求7所述的晶圆生产而成。
10.一种太阳能模块，其具有多个根据权利要求9所述的太阳能电池。
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