[发明专利]一种基于局域电沉积的引线键合焊点结构的制备方法有效
申请号: | 201711377901.2 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN107946201B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 郑振;王春青;孔令超;安荣 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 局域 沉积 引线 键合焊点 结构 制备 方法 | ||
一种基于局域电沉积的引线键合焊点结构的制备方法,属于电子封装技术领域。所述方法如下:对引线材料及焊盘表面进行超声清洗;将引线材料的端头放置在焊盘表面的中心位置;根据焊盘金属种类,选择与之相匹配的金属电沉积溶液,在焊盘与引线的连接处局域进行电镀加工;调控电沉积电流密度和电镀时间,控制局域电沉积键合接头的形貌,得到预期的键合焊点结构。在引线键合工艺中,使用新型的非金属及复合材料取代传统金属引线材料,可以大幅降低互连电阻,提高电路速度和效率,提高电子器件的可靠性。本方法应用于不同焊盘材料和引线材料的键合工艺中,可进一步提高产品可靠性。整个键合过程流程简单,无需加热,加压和超声辅助。
技术领域
本发明属于电子封装技术领域,涉及一种采用非金属或金属复合材料引线的键合结构的制备,具体涉及一种使用局域电化学沉积方法实现引线材料与金属焊盘连接的键合结构的制备方法。
背景技术
电子芯片及集成电路与外部引线互连多使用引线键合技术,通过热压、超声、热声等方式,实现金属引线与焊盘的连接。传统引线键合工艺中使用的引线材料多为金、铜、铝等金属,随着电子封装技术的不断发展,对于集成度和可靠性的要求日益增加,使用导电性更好的引线材料对降低封装互连电阻,提高封装功率密度有着重要的意义。以碳纳米管和石墨烯为代表的新型碳材料具有优于金属材料的导电性能,同时以碳纳米管、石墨烯以及其复合材料作为引线材料可以避免/减小传统金属引线在电子器件服役过程中的电迁移问题,进一步提高了电子器件的可靠性。以碳纳米管、石墨烯以及其复合材料作为引线材料无法使用传统的引线键合工艺,可以通过对引线与焊盘连接处进行电镀处理,形成覆盖引线和焊盘部分的金属层,实现新型引线材料的引线键合工艺。由于电镀金属的种类可选择范围较大,可以选择与焊盘同种金属进行电沉积,这样避免了传统金属引线材料种类相对较少,当引线和焊盘金属材料不同时,电子器件使用过程中在键合界面处容易生成金属间化合物,导致一系列的可靠性问题。为此,设计和开发新型的引线键合焊点结构和制备工艺顺应了电子封装技术发展的趋势。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有的引线与焊盘连接不可靠的问题,提供一种使用非金属或者复合材料作为引线材料进行引线键合形成接头结构的制备方法。与金属引线材料相比,非金属或复合材料作为引线材料无法使用施加热量、压力和超声的方式实现键合,采用电镀连接的方法,即可实现非金属或复合引线材料与焊盘之间快速选择性互连。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
一种基于局域电沉积的引线键合焊点结构的制备方法,所述方法具体步骤如下:
步骤一:使用乙醇和丙酮对引线材料及焊盘表面分别进行超声清洗10~20min;
步骤二:将引线材料的端头放置在焊盘表面的中心位置;
步骤三:根据焊盘金属种类,选择与之相匹配的金属电沉积溶液,在焊盘与引线的连接处局域进行电镀加工;
步骤四:调控电沉积电流密度和电镀时间,控制局域电沉积键合接头的形貌,得到预期的键合焊点结构。
本发明相对于现有技术的有益效果是:通过使用局域电化学加工的方式,在无热无压无超声的条件下,得到与焊盘金属相同连接层的引线键合焊点结构,整个键合焊点结构可调控。本发明可以将高导电非金属和复合材料引入引线键合工艺当中,提高电流效率的同时大大提高电子器件的可靠性。整个键合过程无需加热连接,无热损伤和机械损伤,具有工艺流程简单,键合速度快,适用于各种焊盘材料,具有连接层金属种类选择范围大等优点。
附图说明
图1为连接层高度低于1/2引线高度的纤维状引线材料接头结构示意图及截面图;
图2为连接层高度等于1/2引线高度的纤维状引线材料接头结构示意图及截面图;
图3为连接层高度高于1/2引线高度的纤维状引线材料接头结构示意图及截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造