[发明专利]像素发光装置有效
申请号: | 201711365940.0 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108109534B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 谢毅勋;吴仰恩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33 |
代理公司: | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体层 发光元件 第一电极 发光装置 发光层 基板 第二电极 像素 半导体层电性 发光效率 连接电极 非透光 遮光层 焊垫 金线 通体 遮住 环绕 覆盖 贯穿 | ||
本发明提供一种像素发光装置,包括:基板,具有多个发光元件、以及遮光层,环绕各发光元件设置。其中各发光元件包括:第一电极层,设置于基板上、第二电极层,设置于基板上,且不与第一电极层接触、第一半导体层,设置于第一电极层上、第二半导体层,设置于第二电极层上,且覆盖第一半导体层、发光层,设置于第二半导体层上、第三半导体层,设置于发光层上、以及至少一第一贯通体,贯穿发光层与第二半导体层,使第一半导体层与第三半导体层电性连接。本发明中连接电极的焊垫、金线等非透光构件不会遮住发光元件中发出的光,进而可以增加发光装置的发光效率。
技术领域
本发明涉及一种像素发光装置,且特别涉及一种采用发光二极管的像素发光装置。
背景技术
发光二极管(light emitting diode;LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。
其中,上发光型发光二极管(Top-view LED)常被应用于液晶显示装置的区域背光控制技术(local dimming)中。然而传统式直下式背光发光模块采用的发光元件设置有电极焊垫或金线等非透光构件,而容易造成亮度的降低,这样的问题随着发光元件尺寸的微型化而渐趋明显。且因电极焊垫的设置位置,需要另外以金线导通,金线的设置也容易有颈缩(necking)甚至断线等问题。
此外,随着发光元件的尺寸的微型化,在配置于显示装置时,也容易因尺寸缩小而导致发光元件不易抓取,进而产生发光元件的掉件问题。
另外,将N端电极焊垫与P端电极焊垫设置于同侧时,由于载子会在发光装置中走最短路径,进而可能发生电流拥挤效应(current crowding effect)而导致发光亮度不均甚至低下等问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种像素发光装置,其可以解决上述的非透光构件的遮光问题、发光元件(例如:发光二极管)的掉件问题,同时以也能够避免因电流拥挤效应而导致的亮度不均问题。
本发明的像素发光装置包括:基板,具有多个发光元件、以及遮光层,环绕各发光元件设置。其中各发光元件包括:第一电极层,设置于基板上、第二电极层,设置于基板上,且不与第一电极层接触、第一半导体层,设置于第一电极层上、第二半导体层,设置于第二电极层上,且覆盖第一半导体层、发光层,设置于第二半导体层上、第三半导体层,设置于发光层上、以及至少一第一贯通体,贯穿发光层与第二半导体层,使第一半导体层与第三半导体层电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的各发光元件的各第二电极层之间电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的各发光元件的各第二电极层之间以并联方式电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的第一贯通体为多个,且于第一电极层上方阵列排列。
在本发明的一实施例中,上述的第一贯通体与发光层及第二半导体层之间具有一绝缘层,且第一贯通体为一半导体材料或导电材料。
在本发明的一实施例中,任两相邻的发光元件之间的遮光层包括:第三电极层,邻接于其中一发光元件、第四电极层,邻接于另一发光元件、以及电致变色材料层,设置在第三电极层和第四电极层之间。
在本发明的一实施例中,上述的第三电极层和发光元件电性隔离,且第四电极层和另一发光元件电性隔离。
在本发明的一实施例中,上述的发光元件还包括:绝缘层,设置于第一半导体层与第二半导体层之间,且第一贯通体贯穿绝缘层。
在本发明的一实施例中,上述的发光元件还包括:缓冲层,设置于第二半导体层与发光层之间、第四半导体层,设置于缓冲层与发光层之间、以及至少一第二贯通体,贯穿缓冲层,使第二半导体层与第四半导体层电性连接,且上述的第一贯通体贯穿缓冲层与第四半导体层。
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