[发明专利]非线性光学晶体碘酸锗锂及其制备方法和应用在审
申请号: | 201711352333.0 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108070906A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 陈兴国;刘宏鸣;秦金贵 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | C30B29/10 | 分类号: | C30B29/10;C30B7/10 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 俞琳娟 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碘酸 锗锂 制备 非线性光学晶体 蒸馏水 二阶非线性光学效应 非线性光学晶体材料 非线性晶体材料 制备方法和应用 晶体生长习性 近红外光区 晶体空间群 水热反应釜 红外光区 六方晶系 热稳定性 实验条件 无机晶体 相位匹配 反应釜 摩尔比 锂原料 抽滤 带隙 洗涤 密封 应用 透明度 | ||
1.一种非线性光学晶体碘酸锗锂,其特征在于:
分子式为Li
2.根据权利要求1所述的非线性光学晶体碘酸锗锂,其特征在于:
晶胞参数为:
3.根据权利要求1所述的非线性光学晶体碘酸锗锂,其特征在于:
热失重温度为380℃,光学带隙为3.65eV,红外吸收截止边为11微米。
4.一种非线性光学晶体碘酸锗锂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将摩尔比为3~6:1:8~15的含锂原料、GeO
5.根据权利要求4所述的非线性光学晶体碘酸锗锂的制备方法,其特征在于:
其中,含锂原料、GeO
6.根据权利要求4所述的非线性光学晶体碘酸锗锂的制备方法,其特征在于:
其中,含锂原料为LiOH、LiCl、LiNO
7.根据权利要求4所述的非线性光学晶体碘酸锗锂的制备方法,其特征在于:
其中,在水热反应釜中加入蒸馏水后HIO
8.根据权利要求7所述的非线性光学晶体碘酸锗锂的制备方法,其特征在于:
其中,含锂原料为LiCl,加入蒸馏水后HIO
9.根据权利要求4所述的非线性光学晶体碘酸锗锂的制备方法,其特征在于:
其中,水热反应结束后以0.5~8℃/h的降温速度降至室温。
10.权利要求1所述的非线性光学晶体碘酸锗锂作为非线性光学晶体材料的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711352333.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成膜装置
- 下一篇:一种干涸盐湖的盐卤制备碱式氯化镁晶须的方法