[发明专利]还原氧化石墨烯的制备方法和空穴注入材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711349149.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935669B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 还原 氧化 石墨 制备 方法 空穴 注入 材料 及其 | ||
1.一种空穴注入材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供钼盐和还原氧化石墨烯溶液；其中，所述还原氧化石墨烯的制备方法包括：提供氧化石墨烯，将所述氧化石墨烯溶于富氢水中，在碱性环境下进行第一加热处理，得到所述还原氧化石墨烯溶液；所述钼盐选自钼酸钠和/或钼酸铵；
将所述钼盐溶于所述还原氧化石墨烯溶液中，进行第二加热处理，得所述空穴注入材料；其中，所述空穴注入材料中的Mo6+掺杂在还原氧化石墨烯中。
2.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述碱性环境的pH为8-10；和/或
所述氧化石墨烯和所述富氢水的质量比为(0.5-2):100。
3.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述第一加热处理的温度为90-10℃；和/或
所述第一加热处理的时间为6-8h。
4.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，所述碱性环境由碱液提供，所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氢氧化锂溶液和氨水中的至少一种。
5.如权利要求4所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，
所述还原氧化石墨烯与所述钼盐中的钼的摩尔比为100:(0.1-5)。
6.如权利要求1所述的空穴注入材料的制备方法，其特征在于，
所述第二加热处理的温度为75-85℃；和/或
所述第二加热处理的时间为1-2h。
7.一种空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料由权利要求1-6任一项所述的制备方法制得。
8.一种发光二级管，包括空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层含有权利要求7所述的空穴注入材料。
9.如权利要求8所述的发光二级管，其特征在于，所述发光二极管为QLED或OLED。
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