[发明专利]微型化发光装置在审
| 申请号: | 201711347916.4 | 申请日: | 2017-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN109935609A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
| 发明(设计)人: | 向瑞杰;陈志强 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 源极线 地线 主发光二极管 微型化 第二电极 第三电极 第一电极 电性连接 发光装置 发光二极管 电性分离 电极 备援 点亮 修补 超高分辨率 反应速度快 色彩饱和度 电极电性 低功耗 高效率 良率 制程 架构 | ||
本发明公开了一种微型化发光装置,其包括源极线、地线、主发光二极管,及备援发光二极管。主发光二极管包括第一电极和第二电极,备援发光二极管包括第三电极和第四电极。当主发光二极管能正常点亮时,第一电极电性连接至源极线,第二电极电性连接至地线,而第三电极和第四电极至少其中之一和源极线与地线都电性分离。当主发光二极管无法正常点亮时,第一电极和第二电极至少其中之一和源极线与地线都电性分离,第三电极电性连接至源极线,且第四电极电性连接至地线。因此,本发明提供一种具修补架构的微型化发光装置,除了具有低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、寿命较长,及高效率等优点之外,也能透过修补来提升制程良率。
技术领域
本发明涉及一种微型化发光装置,尤其涉及一种具修补架构的微型化发光二极管装置。
背景技术
相较于传统的白炽灯泡,发光二极管(light emitting diode,LED)具有耗电量低、组件寿命长、体积小、无须暖灯时间和反应速度快等优点,并可配合应用需求而制成极小或阵列式的组件。除了户外显示器、交通号志灯之外、各种消费性电子产品,例如移动电话、笔记本电脑或电视的液晶显示屏幕背光源之外,发光二极管也广泛地被应用于各种室内室外照明装置,以取代日光灯管或白炽灯泡等。
传统的LED阵列典型地为毫米(mm)等级的尺寸,最新微型化发光二极管(microLED)阵列能将体积降到微米(μm)等级的尺寸,并承继了LED的特性,包括低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、寿命较长,以及高效率等优点。微型化LED制程包括首先将LED结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化,使其尺寸只在1~10μm左右,随后将微型化LED批量式转移至电路基板上,再利用物理沉积制程完成保护层与上电极,最后进行上基板的封装。由于微型化LED制程较复杂,如何透过修补来提升良率是重要课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的问题,本发明的目的在于提供一种具修补架构的微型化发光装置,除了具有低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、寿命较长,以及高效率等优点之外,也能透过修补来提升制程良率。
为达到上述目的,本发明公开一种微型化发光装置,其包括一源极线、一地线、一主发光组件,以及一备援发光组件。所述主发光组件包括一第一电极和一第二电极,其中当所述主发光组件能正常点亮时,所述第一电极电性连接至所述源极线,且所述第二电极电性连接至所述地线;当所述主发光组件无法正常点亮时,所述第一电极和所述第二电极至少其中之一和所述源极线与所述地线都电性分离。所述备援发光组件包括一第三电极和一第四电极,其中当所述主发光组件能正常点亮时,所述第三电极和所述第四电极至少其中之一和所述源极线与所述地线都电性分离;当所述主发光组件无法正常点亮时,所述第三电极电性连接至所述源极线,且所述第四电极电性连接至所述地线。
为达到上述目的,本发明另公开一种微型化发光装置,其包括一源极线、一地线、一主发光组件、一备援发光组件,以及一导电材料。所述主发光组件包括一第一电极和一第二电极,其中当所述第一主发光组件能正常点亮时,所述第一电极电性连接至所述源极线,且所述第二电极电性连接至所述地线;当所述第一主发光组件无法正常点亮时,所述第一电极和所述源极线与所述地线都电性分离,且所述第二电极和所述源极线与所述地线都电性分离。所述备援发光组件包括一第三电极和一第四电极,在当所述第一主发光组件无法正常点亮时设置于所述主发光组件上。所述导电材料用来将所述第三电极电性连接至所述源极线,以及将所述第四电极电性连接至所述地线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





