[发明专利]微型化发光装置在审

专利信息
申请号: 201711347916.4 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN109935609A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 向瑞杰;陈志强 申请(专利权)人: 宏碁股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 源极线 地线 主发光二极管 微型化 第二电极 第三电极 第一电极 电性连接 发光装置 发光二极管 电性分离 电极 备援 点亮 修补 超高分辨率 反应速度快 色彩饱和度 电极电性 低功耗 高效率 良率 制程 架构
【权利要求书】:

1.一微型化发光装置,其特征在于,包括:

一源极线;

一地线;

一主发光组件,其包括一第一电极和一第二电极,其中:

当所述主发光组件能正常点亮时,所述第一电极电性连接至所述源极线,且所述第二电极电性连接至所述地线;

当所述主发光组件无法正常点亮时,所述第一电极和所述第二电极至少其中之一和所述源极线与所述地线都电性分离;以及

一备援发光组件,其包括一第三电极和一第四电极,其中:

当所述主发光组件能正常点亮时,所述第三电极和所述第四电极至少其中之一和所述源极线与所述地线都电性分离;且

当所述主发光组件无法正常点亮时,所述第三电极电性连接至所述源极线,且所述第四电极电性连接至所述地线。

2.如权利要求1所述的微型化发光装置,其特征在于:

所述主发光组件另包括:

具一第一参杂类型的一第一半导体层,且所述第一电极设置于所述第一半导体层上;

一第一发光层,设置于所述第一半导体层上;

具一第二参杂类型的一第二半导体层,设置于所述第一发光层上,且所述第二电极设置于所述第二半导体层上;

所述备援发光组件另包括:

具所述第一参杂类型的一第三半导体层,且所述第三电极设置于所述第三半导体层上;

一第二发光层,设置于所述第三半导体层上;

具所述第二参杂类型的一第四半导体层,设置于所述第二发光层上,且所述第四电极设置于所述第四半导体层上;

所述主发光组件和所述备援发光组件是在制作完成后再转移设置于一基板上。

3.如权利要求1所述的微型化发光装置,其特征在于,所述主发光组件和所述备援发光组件为微型化发光二极管。

4.一微型化发光装置,其特征在于,包括:

一源极线;

一地线;

一主发光组件,其包括一第一电极和一第二电极,其中:

当所述第一主发光组件能正常点亮时,所述第一电极电性连接至所述源极线,且所述第二电极电性连接至所述地线;且

当所述第一主发光组件无法正常点亮时,所述第一电极和所述源极线与所述地线都电性分离,且所述第二电极和所述源极线与所述地线都电性分离;以及

一备援发光组件,其包括一第三电极和一第四电极,在当所述第一主发光组件无法正常点亮时设置于所述主发光组件上;以及

一导电材料,用来将所述第三电极电性连接至所述源极线,以及将所述第四电极电性连接至所述地线。

5.如权利要求4所述的微型化发光装置,其特征在于:

所述主发光组件另包括:

具一第一参杂类型的一第一半导体层,且所述第一电极设置于所述第一半导体层上;

一第一发光层,设置于所述第一半导体层上;

具一第二参杂类型的一第二半导体层,设置于所述第一发光层上,且所述第二电极设置于所述第二半导体层上;

所述备援发光组件另包括:

具所述第一参杂类型的一第三半导体层,设置于所述主发光组件上,且所述第三电极设置于所述第三半导体层上;

一第二发光层,设置于所述第三半导体层上;以及

具所述第二参杂类型的一第四半导体层,设置于所述第二发光层上,且所述第四电极设置于所述第四半导体层上;

所述主发光组件是在制作完成后再转移设置于一基板上;而

所述备援发光组件是在制作完成后再转移设置于所述主发光组件上。

6.如权利要求4所述的微型化发光装置,其特征在于,所述主发光组件和所述备援发光组件为微型化发光二极管。

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