[发明专利]一种导电薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种导电薄膜及其制备方法，其中，所述导电薄膜，包括自下而上设置的基底、第一金属氧化物层、形核诱导层、金属Ag层以及第二金属氧化物层，所述形核诱导层由含羰基的富勒烯衍生物制成。本发明解决了现有的Ag基透明导电薄膜导电性能不佳的问题。

技术领域

本发明涉及导电薄膜技术领域，尤其涉及一种导电薄膜及其制备方法。

背景技术

当今，氧化铟锡(ITO)是在光电子器件领域应用较为广泛的透明导电氧化物，而高性能的ITO必需经离温退火处理, 因而不能与有机物衬底兼容，但是在室温下制备的ITO电阻率较髙, 必须通过增加厚度来提高导电薄膜的导电性，而伴随着厚度増加透过率降低同时薄膜脆性增加,多次弯曲后易失效，亦不能满足柔性器件的要求；同时In资源的缺失以及透明导电薄膜市场需求量的猛増也限制了ITO透明导电薄膜的大规模使用。取而代之的是金属导电多层薄膜，金属透明导电多层膜得益于特定的氧化物-金属-氧化物(Oxide-Metal-Oxide,OMO)三明治结构，其制备工艺简单，易实现大规模生产同时薄膜柔韧性以及稳定性较好,适用于开发廉价柔性的透明导电电极。目前，研究最多且光电性能最优异的就是MO/Ag/MO，但是由于Ag在氧化物衬底上润湿性较差，导致Ag以三维岛状模式生长,很难获得超薄连续的Ag金属层，如何抑制Ag在氧化物表面的岛状三维生长从而获得超薄连续的中间夹层金属,一直是制约MO/Ag/MO电极性能进一步提高的障碍。

一种有效改善MO/Ag/MO电极性能的方法是引入晶种层和添加合金元素，提高Ag的形核密度,得到一种致密连续的Ag，但是由于晶种层的引入不可避免的造成光学透过率的损失,合金元素的掺杂量也很难控制，因此，如何提高MO/Ag/MO的光电性能并且能实现产业化，有待进一步研究。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种导电薄膜及其制备方法，旨在解决现有的Ag基导电薄膜导电性能不佳的问题。

本发明的技术方案如下：

一种导电薄膜，其中，包括层叠设置的透明基底、第一金属氧化物层、形核诱导层、金属Ag层以及第二金属氧化物层，所述形核诱导层由含羰基的富勒烯衍生物制成。

所述的导电薄膜，其中，所述富勒烯衍生物为PCBM、PCBB或ThCBM。

所述的导电薄膜，其中，所述第一金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO₂或MoO₃。

所述的导电薄膜，其中，所述第二金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO₂或MoO₃。

所述的导电薄膜，其中，所述基底为透明基底。

所述的导电薄膜，其中，所述透明基底的材料为玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯己二酸酯或聚二甲基硅氧烷。

所述的导电薄膜，其中，所述形核诱导层的厚度为1~5nm，所述金属Ag层的厚度为1~10nm。

一种导电薄膜的制备方法，其中，包括步骤：

提供一基底，在所述基底上沉积第一金属氧化物层；

在所述第一金属氧化物层上沉积一层含羰基的富勒烯衍生物，形成形核诱导层；

在所述形核诱导层上沉积Ag层；

再在所述Ag层上沉积第二金属氧化物层。

所述的导电薄膜的制备方法，其中，所述步骤在所述第一金属氧化物层上一层含羰基的富勒烯衍生物，形成形核诱导层，具体包括：