[发明专利]一种导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201711338493.X | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109961874B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然;王宇 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠设置的基底、第一金属氧化物层、形核诱导层、金属Ag层以及第二金属氧化物层，所述形核诱导层由含羰基的富勒烯衍生物制成；
所述形核诱导层的厚度为1～5nm，所述金属Ag层的厚度为1～10nm。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述富勒烯衍生物为PCBM、PCBB或ThCBM。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。
4.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述第二金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。
5.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述基底为透明基底。
6.根据权利要求5所述的导电薄膜，其特征在于，所述透明基底的材料为玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯己二酸酯或聚二甲基硅氧烷。
7.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一基底，在所述基底上沉积第一金属氧化物层；
在所述第一金属氧化物层上沉积一层含羰基的富勒烯衍生物，形成形核诱导层；
在所述形核诱导层上沉积Ag层；
再在所述Ag层上沉积第二金属氧化物层；
所述形核诱导层的厚度为1～5nm，所述金属Ag层的厚度为1～10nm。
8.根据权利要求7所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤在所述第一金属氧化物层上沉积一层含羰基的富勒烯衍生物，形成形核诱导层，包括：
在所述第一金属氧化物层上涂布或打印一层含羰基的富勒烯衍生物溶液，去除溶剂，形成形核诱导层。
9.根据权利要求8所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述富勒烯衍生物溶液中，富勒烯衍生物的浓度为0.01～0.5mg/mL。
10.根据权利要求7所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。
11.根据权利要求7所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二金属氧化物层的材料为ZnO、MgZnO、AlZnO、TiO2或MoO3。
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