[发明专利]提升管式PECVD工艺产能的方法及其应用

说明书

本发明涉及一种提升管式PECVD工艺产能的方法，所述的方法包括：镀膜后抽真空并控制系统的温度，使得炉管保持持续加热状态。本发明还涉及一种管式PECVD工艺产能的方法的应用。采用了本发明的提升管式PECVD工艺产能的方法，摒弃传统工艺技术，从非镀膜工艺流程(镀膜后辅助流程)上实现工艺运行时间缩短，从而实现产能提升；实际工艺运行起始温度能够提高30℃，升温步骤可节约时间3min(调整前升温耗时8～10min，调整后升温耗时5～7min)。

技术领域

本发明涉及光伏行业晶硅电池领域，具体是指一种提升管式PECVD工艺产能的方法。

背景技术

随着人们对环境保护意识增强及清洁能源的重视，整个光伏行业呈现蓬勃发展的态势。在这良好的机遇下，对于晶硅电池制造企业而言，如果能够追求产量最大化，不仅可以使企业获得更大的利润，而且能够大幅降低制造成本。

在整个常规电池工艺生产流程中，在设备机台数量1对1的情况下，前道工序刻蚀和后道工序丝网，整体产能均高出PECVD工艺，导致PECVD工艺产出一直成为瓶颈。虽然购买新PECVD设备机台可以解决此问题，但由于管式PECVD机台造价不菲，会给企业增加额外的成本和负担。若能够在不增加新设备机台的情况下，通过工艺参数优化改进和创新达到的产能提升，将成为PECVD产能瓶颈最佳解决方案。

目前光伏行业正式发展已有17年光景，针对管式PECVD产能提升方案，传统技术手段主要从镀膜工艺参数进行调整(如功率、占空比等)。目前传统技术手段各厂家已研究透彻，深度优化可能对产品外观或可靠性有一定影响，存在一定的风险性。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种提升管式PECVD工艺产能的方法。

为了实现上述目的，本发明的提升管式PECVD工艺产能的方法主要包括以下内容：

所述的方法包括：镀膜后抽真空并控制系统的温度，使得炉管保持持续加热状态。

较佳地，所述的方法包括：镀膜后抽真空并将系统的温度设定在450℃～500℃之间，使得炉管保持持续加热状态；所述的管式PECVD工艺中的镀膜过程温度控制在445℃～455℃。

较佳地，所述的方法包括：镀膜后抽真空并将系统的温度设定为500℃，使得炉管保持持续加热状态；所述的管式PECVD工艺中的镀膜过程温度控制在450℃。

较佳地，所述的镀膜后抽真空之后还包括步骤：吹扫管路，关闭尾气处理装置，充氮，出舟，结束所述的管式PECVD工艺。

较佳地，所述的镀膜后抽真空之后还包括步骤：吹扫管路，关闭尾气处理装置，然后向炉管内充入氮气使炉内达到大气压，开启炉门，将完成管式PECVD工艺的石墨舟送出炉管，结束所述的管式PECVD工艺。

较佳地，所述的方法还包括镀膜前辅助步骤。

较佳地，所述的镀膜前辅助步骤包括：充氮，进舟，抽真空，升温，打开尾气处理装置，再次抽真空，二次恒温，测漏。

较佳地，所述的镀膜前辅助步骤包括：在上一管式PECVD工艺结束后，向炉管内充入氮气，直至炉管内达到大气压，开启炉门，将装有硅片的石墨舟送入炉管内部，炉管内抽真空并保持炉管真空状态，加热炉管，直至炉管内所有温度达到430℃，打开尾气处理装置，并再次抽真空且保持炉管真空状态，进行二次恒温，测试炉管实际漏率，准备镀膜过程。

本发明还提供了一种所述的提升管式PECVD工艺产能的方法的应用，所述的方法用于提升生产多晶硅片、单晶硅片、PERC硅片的管式PECVD工艺的产能。