[发明专利]提升管式PECVD工艺产能的方法及其应用

权利要求书

1.一种提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的方法包括：镀膜后抽真空并控制系统的温度，使得炉管保持持续加热状态。

2.根据权利要求1所述的提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的方法包括：镀膜后抽真空并将系统的温度设定在450℃～500℃之间，使得炉管保持持续加热状态；所述的管式PECVD工艺中的镀膜过程温度控制在445℃～455℃。

3.根据权利要求1或2所述的提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的方法包括：镀膜后抽真空并将系统的温度设定为500℃，使得炉管保持持续加热状态；所述的管式PECVD工艺中的镀膜过程温度控制在450℃。

4.根据权利要求1所述的提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的镀膜后抽真空之后还包括步骤：吹扫管路，关闭尾气处理装置，充氮，出舟，结束所述的管式PECVD工艺。

5.根据权利要求1或4所述的提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的镀膜后抽真空之后还包括步骤：吹扫管路，关闭尾气处理装置，然后向炉管内充入氮气使炉内达到大气压，开启炉门，将完成管式PECVD工艺的石墨舟送出炉管，结束所述的管式PECVD工艺。

6.根据权利要求1所述的提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的方法还包括镀膜前辅助步骤。

7.根据权利要求6所述的提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的镀膜前辅助步骤包括：充氮，进舟，抽真空，升温，打开尾气处理装置，再次抽真空，二次恒温，测漏。

8.根据权利要求6所述的提升管式PECVD工艺产能的方法，其特征在于，所述的镀膜前辅助步骤包括：在上一管式PECVD工艺结束后，向炉管内充入氮气，直至炉管内达到大气压，开启炉门，将装有硅片的石墨舟送入炉管内部，炉管内抽真空并保持炉管真空状态，加热炉管，直至炉管内所有温度达到430℃，打开尾气处理装置，并再次抽真空且保持炉管真空状态，进行二次恒温，测试炉管实际漏率，准备镀膜过程。

9.一种权利要求1至8中任一项所述的提升管式PECVD工艺产能的方法的应用，其特征在于，所述的方法用于提升生产多晶硅片、单晶硅片、PERC硅片的管式PECVD工艺的产能。