[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的栅极、源极、漏极和有源层，所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接，所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一者为吸光电极，所述吸光电极包括电极本体和吸光层，所述吸光层设置在所述电极本体的朝向所述有源层的一侧。相应地，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置。本发明能够减少有源层受到的光照，提高薄膜晶体管的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

目前，半导体器件中应用较多的是非晶硅和低温多晶硅(LTPS)。但是，目前的大多数硅基半导体对光照较敏感，在光照下容易产生关态电流，影响器件稳定性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，以减少光线射到有源层的现象，提高薄膜晶体管的稳定性。

为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上的栅极、源极、漏极和有源层，所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接，所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一者为吸光电极，所述吸光电极包括电极本体和吸光层，所述吸光层设置在所述电极本体的朝向所述有源层的一侧。

可选地，所述栅极、源极和漏极均为所述吸光电极，所述吸光层为导电层。

可选地，所述吸光层包括还原氧化石墨膜、碳膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸-炭黑复合材料膜中的至少一种。

可选地，所述栅极位于所述有源层与所述衬底之间；所述源极和漏极均位于所述有源层背离所述衬底的一侧。

可选地，所述栅极、所述源极和所述漏极均位于所述有源层背离所述衬底的一侧。

相应地，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成栅极、有源层、源极和漏极，所述源极和漏极均与所述有源层电连接；

其中，所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一者为吸光电极，形成所述吸光电极包括：

形成电极本体；

在所述电极本体的朝向所述有源层的一侧形成吸光层。

可选地，所述栅极、所述源极和所述漏极均为所述吸光电极，所述吸光层为导电层。

可选地，所述吸光层包括还原氧化石墨膜、碳膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸-炭黑复合材料膜中的至少一种。

可选地，当所述吸光层包括还原氧化石墨膜时，形成所述吸光层的步骤包括：

形成氧化石墨膜；

对所述氧化石墨膜进行还原，以形成还原氧化石墨膜。

可选地，对所述氧化石墨膜进行还原的方法包括退火法或水合肼还原法。

可选地，当所述吸光层包括碳膜时，形成所述吸光层的步骤包括：

利用磁控溅射工艺形成碳膜。

可选地，当所述吸光层包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸膜时，形成所述吸光层的步骤包括：

制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液；

涂覆所述聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液；

对涂覆的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液进行固化，以形成聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸膜。