[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置在衬底上的栅极、源极、漏极和有源层，所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接，所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一者为吸光电极，所述吸光电极包括电极本体和吸光层，所述吸光层设置在所述电极本体的朝向所述有源层的一侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、源极和漏极均为所述吸光电极，所述吸光层为导电层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述吸光层包括还原氧化石墨膜、碳膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸-炭黑复合材料膜中的至少一种。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极位于所述有源层与所述衬底之间；所述源极和漏极均位于所述有源层背离所述衬底的一侧。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极均位于所述有源层背离所述衬底的一侧。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成栅极、有源层、源极和漏极，所述源极和漏极均与所述有源层电连接；

其中，所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一者为吸光电极，形成所述吸光电极包括：

形成电极本体；

在所述电极本体的朝向所述有源层的一侧形成吸光层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极均为所述吸光电极，所述吸光层为导电层。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述吸光层包括还原氧化石墨膜、碳膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸膜、聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸-炭黑复合材料膜中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，当所述吸光层包括还原氧化石墨膜时，形成所述吸光层的步骤包括：

形成氧化石墨膜；

对所述氧化石墨膜进行还原，以形成还原氧化石墨膜。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，对所述氧化石墨膜进行还原的方法包括退火法或水合肼还原法。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，当所述吸光层包括碳膜时，形成所述吸光层的步骤包括：

利用磁控溅射工艺形成碳膜。

12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，当所述吸光层包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸膜时，形成所述吸光层的步骤包括：

制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液；

涂覆所述聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液；

对涂覆的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液进行固化，以形成聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸膜。

13.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，当所述吸光层包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸-炭黑复合材料膜时，形成所述吸光层的步骤包括：

制备炭黑混合溶液，所述炭黑混合溶液包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸的分散液、炭黑和掺杂剂，所述掺杂剂包括乙二醇或丙三醇；

涂覆所述炭黑混合溶液；

对涂覆的炭黑混合溶液进行固化，以形成聚(3，4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸-炭黑复合材料膜。

14.根据权利要求6至13中任意一项所述的制作方法，其特征在于，

形成栅极的步骤在形成有源层的步骤之前进行，形成源极的步骤和形成漏极的步骤均在形成有源层的步骤之后进行。