[发明专利]包括暴露的相对管芯焊盘的半导体器件

说明书

本发明公开了包括暴露的相对管芯焊盘的半导体器件。一种半导体器件包括第一引线框架、第二引线框架、第一半导体芯片、和包封材料。该第一引线框架包括第一管芯焊盘，其具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面。该第二引线框架包括第二管芯焊盘，其具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面。该第二管芯焊盘的第一表面面向第一管芯焊盘的第一表面。该第一半导体芯片被附接至第一管芯焊盘的第一表面。该包封材料包封第一半导体芯片以及第一引线框架和第二引线框架的部分。该包封材料具有与第一管芯焊盘的第二表面对齐的第一表面以及与第二管芯焊盘的第二表面对齐的第二表面。

技术领域

本发明涉及包括暴露的相对管芯焊盘的半导体器件。

背景技术

分立封装半导体器件可能具有包括用以实现该器件的单面冷却的暴露的管芯焊盘的引线框架。半导体器件的功率密度以及因此的功能会受到半导体器件的冷却能力的限制。

由于这些以及其他原因，存在对本发明的需要。

发明内容

一种半导体器件的一个示例包括第一引线框架、第二引线框架、第一半导体芯片、和包封材料。该第一引线框架包括第一管芯焊盘，其具有第一表面和与第一管芯焊盘的第一表面相对的第二表面。该第二引线框架包括第二管芯焊盘，其具有第一表面和与第二管芯焊盘的第一表面相对的第二表面。该第二管芯焊盘的第一表面面向第一管芯焊盘的第一表面。该第一半导体芯片被附接至第一管芯焊盘的第一表面。该包封材料包封第一半导体芯片以及第一引线框架和第二引线框架的部分。该包封材料具有与第一管芯焊盘的第二表面对齐的第一表面以及与第二管芯焊盘的第二表面对齐的第二表面。

附图说明

图1A-1C图示通孔半导体器件的一个示例。

图2图示通孔半导体器件的另一示例的横截面视图。

图3A-3F图示用于制造通孔半导体器件的方法的一个示例。

图4A-4E图示用于制造表面安装技术（SMT）半导体器件的方法的一个示例。

图5A-5E图示用于制造包括独立的半导体芯片的半导体器件的方法的一个示例。

图6图示具有独立的半导体芯片的半导体器件的一个示例。

图7图示具有独立的半导体芯片的半导体器件的另一个示例。

图8图示具有外部漏极/源极互连的半导体器件的一个示例。

图9A-9B图示具有分裂（split）管芯焊盘的半导体器件的一个示例。

图10图示SMT半导体器件的一个示例。

图11图示包括耦合至具有双面冷却的半导体器件的散热器的系统的一个示例。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考附图，所述附图形成本文中的一部分且在其中通过图示示出在其中可实践本公开的特定示例。在这个方面，方向术语诸如“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“领先”、“落后”等参考正被描述的（一个或多个）附图的取向来使用。因为示例的部件可以定位在许多不同取向中，所以方向术语被用于说明的目的，并且决不是限制性的。应理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他示例并且可以做出结构或逻辑改变。因此，不应以限制性意义理解下面的详细描述，而本公开的范围由所附权利要求来限定。

应理解的是，本文中描述的各种示例的特征可以与彼此组合，除非另有具体地指出。

如在本文中所使用的，术语“电气耦合”并不意味着意指元件必须直接耦合在一起并且可以在“电气耦合的”元件之间提供介于中间的元件。