[发明专利]引线框

说明书

本发明提供一种引线框，对于利用通过在成为引线框基材的金属板形成PPF镀层之后通过蚀刻来加工引线框形状的方法所制造的QFN型的引线框而言，能够抑制制造成本的增加、制造效率的降低，并且能够防止PPF镀层的毛刺的折断。该引线框在金属板(1)形成划分成为内部连接端子或内部连接端子及焊盘的柱状部(2)的凹部(3)，在柱状部的上部形成有对柱状部的上部顺次层叠Ni、Pd、Au而成的镀层(4)，其中，柱状部的上部具有：直线部(21)；R部(22)，其位于相邻的直线部彼此之间，R部处的镀层的侧面比金属板的侧面最上部向横向突出，直线部中央处的镀层的侧面的横向的位置与金属板的侧面最上部的横向的位置大致相同。

技术领域

本发明涉及一种引线框，其用于QFN型封装(Quad Flat Non-leaded Package)的制造。

背景技术

以面向移动设备为中心，半导体装置(封装)的小型化发展起来。并且，作为应对封装的小型化的要求的引线框，提出了在下侧形成外部连接端子的QFN型的引线框。

在这种引线框的端子中，例如如下述专利文献1所述，通常在成为基材的铜材的上表面形成通过顺次层叠Ni、Pd、Au而成的所谓的PPF(Pre Plating Flame)镀层。

专利文献1中记载的引线框是通过在成为引线框的基材的金属板上利用蚀刻等形成具有端子的引线框形状后顺次形成Ni、Pd、Au镀层而制造出的。

然而，在如专利文献1所述那样在形成引线框形状后形成镀层的制造方法中，在半导体元件、引线所连接的部位以外的不需要的部位(侧面)也实施昂贵的Pd镀敷、Au镀敷等贵金属镀敷，成本提高。

作为解决上述问题的引线框，本申请申请人提出了如下制造方法：如下述专利文献2所述，在金属板的与端子部相当的部位顺次实施Ni、Pd、Au镀敷而形成PPF镀层后，形成引线框形状。

然而，对于利用通过在成为引线框基材的金属板的规定部位顺次实施Ni、Pd、Au镀敷而形成PPF镀层之后通过蚀刻来加工引线框形状的方法所制造的引线框而言，如图4所示，存在有在蚀刻处理时Ni镀层也容易与基材一起被蚀刻规定量这样的问题。

若Ni层被蚀刻规定量，则Pd、Au镀层从未被蚀刻而残留的Ni镀层的周围突出规定量并形成毛刺，有时毛刺发生折断、形成缺口等，成为产生不良的原因，成为半导体装置的可靠性降低的主要原因。

然而，在下述专利文献3中记载了如下内容：对于利用通过在金属板的规定部位顺次实施Ni、Pd、Au镀敷而形成PPF镀层之后通过蚀刻来加工引线框形状的方法所制造的引线框而言，为了抑制由于Ni镀层的蚀刻而导致侧面方向的侵蚀，将Ni镀层形成为5μm～50μm的厚度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-270512号公报

专利文献2：日本特许第4852802号公报

专利文献3：日本特开2012-49323号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，若如专利文献3所述的引线框那样，增加Ni镀层的厚度，则相应地材料的损耗增加，制造成本增加，并且Ni镀敷需要更多的时间，制造效率降低。

因此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种引线框，对于利用通过在成为引线框基材的金属板形成PPF镀层之后通过蚀刻来加工引线框形状的方法所制造的QFN型的引线框而言，能够抑制制造成本的增加、制造效率的降低，并且能够防止PPF镀层的毛刺的折断、缺口。