[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有静电卡盘(6)和升降销(61)。静电卡盘(6)具有载置晶圆(W)的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在该静电卡盘(6)形成有贯通载置面(21)和背面(22)的销用贯通孔(200)。升降销(61)的至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销(61)的前端收纳于销用贯通孔(200)，该升降销(61)通过相对于载置面(21)沿上下方向移动来沿上下方向搬送晶圆(W)。升降销(61)在与销用贯通孔(200)对应的前端部分具有导电膜(61c)。

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

以往以来，已知一种使用等离子体来对晶圆等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。这种等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内具有兼作电极的用于保持被处理体的载置台。等离子体处理装置通过对载置台施加规定高频电力来对配置于载置台的被处理体进行等离子体处理。在载置台形成有收纳了升降销的贯通孔。在等离子体处理装置中，在搬送被处理体的情况下，使升降销从贯通孔突出，利用升降销从背面支承被处理体来使该被处理体从载置台脱离。为了抑制由于升降销暴露于等离子体而发生异常放电，升降销由绝缘性构件形成，下部由导电材料形成。

专利文献1：日本特开2000-195935号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，近年来，等离子体处理装置将施加于载置台的高频电力高电压化以进行等离子体处理。在施加于载置台的高频电力被高电压化的情况下，有时由于收纳有升降销的贯通孔而发生异常放电。在等离子体处理装置中，当由于贯通孔发生异常放电时，有可能使被处理体的质量恶化而成为成品率降低的主要原因。

用于解决问题的方案

公开的等离子体处理装置在一个实施方式中具有静电卡盘和升降销。静电卡盘具有载置被处理体的载置面和与载置面相对的背面，在静电卡盘形成有贯通载置面和背面的通孔。升降销的至少一部分由绝缘性构件形成，升降销的前端收纳于通孔，该升降销通过相对于载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送被处理体。等离子体处理装置在升降销的与通孔对应的前端部分和通孔的与升降销相向的壁面中的至少一方具有导电性构件。

发明的效果

根据公开的等离子体处理装置的一个方式，起到能够抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的效果。

附图说明

图1是示出本实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概要截面图。

图2是示出图1的等离子体处理装置中的载置台的概要截面图。

图3是示出图1的等离子体处理装置中的载置台的概要截面图。

图4是示意性地示出静电卡盘的销用贯通孔附近的电位的状态的图。

图5是示意性地示出收纳于销用贯通孔的升降销的前端部分的图。

图6是示意性地示出收纳于销用贯通孔的升降销的前端部分的图。

图7是示出计算出集肤效应的结果的一例的图。

图8是示出在升降销的前端部分形成有导电膜的一例的图。

图9是示出利用导电性构件形成升降销的前端部分的一例的图。

图10是示出在升降销的前端部分的内部嵌入有导电部的一例的图。

图11是示出在升降销的前端部分的内部嵌入有导电部的其它一例的图。

图12是使用等效电路来模拟销用贯通孔内的电位的变化的图。