[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；以及

升降销，其至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销的前端收纳于所述通孔，该升降销通过相对于所述载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送所述被处理体，

其中，所述升降销在与所述通孔对应的前端部分具有由导电性构件形成的导电膜，该导电膜的厚度设为该导电膜所使用的导电性构件的集肤效应的厚度δ的10％以下，

所述厚度δ由如下的数式(1)表示：

ρ为所述导电膜所使用的导电性构件的电阻率，μ为所述导电膜所使用的导电性构件的磁导率，μs为所述导电膜所使用的导电性构件的相对磁导率，f为高频电力的频率。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述导电膜的厚度设为该导电膜所使用的导电性构件的集肤效应的厚度δ的1％以下。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述升降销在所述前端部分以与所述导电膜的膜厚度对应的深度形成凹部，在所述凹部形成所述导电膜。

4.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；以及

升降销，其至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销的前端收纳于所述通孔，该升降销通过相对于所述载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送所述被处理体，

其中，所述升降销的与所述通孔对应的前端部分由导电性构件形成，该前端部分的外径设为该前端部分所使用的导电性构件的集肤效应的厚度δ的10％以下，

所述厚度δ由如下的数式(1)表示：

ρ为所述前端部分所使用的导电性构件的电阻率，μ为所述前端部分所使用的导电性构件的磁导率，μs为所述前端部分所使用的导电性构件的相对磁导率，f为高频电力的频率。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述前端部分的外径设为该前端部分所使用的导电性构件的集肤效应的厚度δ的1％以下。

6.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔和第二通孔；

升降销，其至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销的前端收纳于所述第一通孔中，该升降销通过相对于所述载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送所述被处理体；以及

基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第二通孔连通的第三通孔，在该第二通孔和第三通孔内具有嵌入构件，

其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第二通孔和所述基台的所述第三通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成，

所述升降销在与所述第一通孔对应的前端部分具有由导电性构件形成的导电膜，该导电膜的厚度设为该导电膜所使用的导电性构件的集肤效应的厚度δ的10％以下，

所述厚度δ由如下的数式(1)表示：

ρ为所述导电膜所使用的导电性构件的电阻率，μ为所述导电膜所使用的导电性构件的磁导率，μs为所述导电膜所使用的导电性构件的相对磁导率，f为高频电力的频率。

7.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔和第二通孔；

升降销，其至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销的前端收纳于所述第一通孔中，该升降销通过相对于所述载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送所述被处理体；以及

基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第二通孔连通的第三通孔，在该第二通孔和第三通孔内具有嵌入构件，

其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第二通孔和所述基台的所述第三通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成，

所述升降销的与所述第一通孔对应的前端部分由导电性构件形成，该前端部分的外径设为该前端部分所使用的导电性构件的集肤效应的厚度δ的10％以下，

所述厚度δ由如下的数式(1)表示：

ρ为所述前端部分所使用的导电性构件的电阻率，μ为所述前端部分所使用的导电性构件的磁导率，μs为所述前端部分所使用的导电性构件的相对磁导率，f为高频电力的频率。